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  • 什麼是藍牙測試?如何延長藍牙耳機壽命?

    什麼是藍牙測試?如何延長藍牙耳機壽命?

    對於藍牙,想必大家都已經十分了解了。上篇文章中,小編對藍牙的配對連接過程以及藍牙的發展史有所闡述。為增進大家對藍牙的瞭解,本文將基於三點介紹藍牙:1.藍牙測試概述,2.藍牙耳機壽命,3.如何延長藍牙耳機壽命。如果你對藍牙相關知識具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、藍牙測試概述 1. 藍牙無線技術的基本概念介紹 藍牙是目前非常通用的短距離無線傳輸技術。由於它可以被用來代替有線電纜,其花費相對要較低,並且易於操作。這些要求對藍牙技術提出了挑戰,藍牙技術通過多種手段滿足這些挑戰。藍牙的無線電單元採用調頻擴展頻譜方式(FHSS)設計,設計重點在低功耗,低費用和在工業、科學、醫療無線電頻段抗干擾性能。 藍牙設備工作於ISM(工業、科學、醫學)頻段,通常是在2.402GHz至2.4835GHz之間的79個信道上運行,每個信道佔用1M帶寬。並可以在79個信道上進行跳頻。它使用稱為高斯頻移鍵控(GFSK)的數字頻率調製技術實現彼此間的通信。 2. 藍牙的測試模式 藍牙設備能工作在不同的模式下。 正常模式:是個標準藍牙通信過程。例如:測量儀器充當主設備,藍牙設備充當從設備。 發射機測試模式:在這個模式下,發射機工作在特殊的狀態下,可以使用測量儀器固定藍牙設備的工作頻率,然後對藍牙發射機的各種參數進行測量。 環路測試模式:藍牙設備被要求對測試儀所發的包進行解碼並返回使用同樣包類型的預裝數據。 3. 測試的建立 (1)測試條件建立 藍牙中跳頻技術對信號的分析增加了難度。對藍牙裝置的功率容量測試需要跳頻工作方式,而進行參數測試時,則不需要跳頻。因此,大部分測試中需要將跳頻關掉。 (2)測試搭建 測試搭圖建如下: 測試設置1:可以滿足發射機雜散測試、接收機雜散測試和頻率範圍測試等等,因為只有藍牙模擬器不足以對這些測試項進行測試,需要使用相關的測量設備,例如:頻譜儀。圖中先使用藍牙設備通過功率分配器連接到藍牙模擬器,使用藍牙模擬器控制藍牙設備進入發射機測試模式,並固定藍牙設備的工作頻率(也就是關閉跳頻),然後連接頻譜儀到功率分配器的另一個端口,對藍牙設備進行測量。 測試設置2:可以滿足發射機輸出功率、功率控制測試和調製頻譜測試等等,因為許多藍牙模擬器已經具備這幾種簡單的測試了,例如:藍牙綜合測試儀。圖中使用藍牙設備通過功率分配器連接到藍牙模擬器,使用藍牙模擬器控制藍牙設備進入發射機測試模式,並使用藍牙模擬器內部測試設置功能控制發射類型(跳頻打開或關掉,不同的數據包等等)以保證提供正確的測試條件,然後對藍牙設備進行測量。 二、藍牙耳機的壽命 藍牙耳機的正常壽命一般還是與它的電池壽命息息相關。一般藍牙耳機的電池可連續通話8-10小時,聽音樂6-8小時,可待機15-30天。藍牙耳機電池壽命的長短主要是根據電池質量的好壞有關係,好質量的無線藍牙耳機電池可以使用時間一般是2-3年。 三、如何延長藍牙耳機的壽命 1、藍牙耳機的電池都是內置的鋰電池,是不可以更換的。平時使用藍牙耳機要注意保護好電池,不要過度的使用,要及時的給藍牙耳機充電。 2、切勿將藍牙耳機暴露在液體或潮濕的地方。 3、切勿使用研磨性溶劑清潔藍牙耳機。 4、切勿將藍牙耳機放置在温度極高或極低的地方,最佳存放環境為-10度到+60度,否則會影響藍牙耳機的使用壽命。 5、藍牙耳機遠離温度變化很大及多塵的地方,切勿將藍牙耳機暴露在明火之中,避免爆炸危險。 6、切勿將藍牙耳機接觸尖鋭對象,會造成刮痕或損壞。 7、切勿將任何物件插入藍牙耳機內,會損壞內部組件。 8、切勿嘗試拆卸藍牙耳機。 以上便是此次小編帶來的“藍牙”相關內容,通過本文,希望大家對藍牙測試、藍牙耳機壽命以及延長藍牙耳機壽命的方法具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-22 關鍵詞: 藍牙測試 藍牙 指數

  • 大佬帶你看藍牙發展史,詳細闡述藍牙配對、連接

    大佬帶你看藍牙發展史,詳細闡述藍牙配對、連接

    藍牙技術是當今應用最多的技術之一,採用藍牙技術,我們可以實現數據的傳輸以及其它功能。上篇文章中,小編對藍牙手機的功能和選擇要點有所闡述。為增進大家對藍牙的瞭解,本文將對藍牙配對和連接的過程以及藍牙的發展予以介紹。如果你對藍牙相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、藍牙配對過程、連接建立過程 藍牙的建立過程是一個複雜的過程,即使有過相當一段工作和使用經驗的人,如果不仔細去了解還是理解不全。 平時我們用藍牙耳機聽音樂,和不同的設備共享文件,打電話等,都有一個配對--連接--傳輸數據的過程。 藍牙配對過程,其實就是一個認證的過程。 為什麼不配對便無法建立連接? 任何無線通信技術都存在被監聽和破解的可能,藍牙SIG為了保證藍牙通信的安全性,採用認證的方式進行數據交互。同時為了保證使用的方便性,以配對的形式完成兩個藍牙設備之間的首次通訊認證,經配對之後,隨後的通訊連接就不必每次都要做確認。所以認證碼的產生是從配對開始的,經過配對,設備之間以PIN碼建立約定的link key用於產生初始認證碼,以用於以後建立的連接。 所以不配對,兩個設備之間便無法建立認證關係,無法進行連接及其之後的操作,所以配對在一定程度上保證了藍牙通信的安全,當然這個安全保證機制是比較容易被破解的,因為現在很多個人設備沒有人機接口,所以PIN碼都是固定的而且大都設置為通用的0000或者1234之類的,所以很容易被猜到並進而建立配對和連接。 藍牙的連接過程 現在的藍牙芯片供應商提供的技術支持能力相當強大,有完整的硬件和軟件解決方案。對於應用而言,提供了固件用於實現底層協議棧,提供了profile庫及源代碼規範了各種應用,開發人員只要專注於應用程序開發就可以了。對於藍牙底層的一些東西往往不甚了了。以前我也是這樣子的,最近在做一個自動搜索以實現自動連接的應用,發現還是需要了解一些底層的機制的。 我們可以很容易的進行操作在一個手機和免提設備之間建立連接,那麼這個連接是怎麼建立起來的呢? 首先,主設備(master,即發起連接的設備)會尋呼(page)從設備(slave,接收連接的設備),master會已跳頻的方式去尋呼slave,slave會固定間隔地去掃描(scan)外部尋呼,即page scan,當scan 到外部page時便會響應response該page,這樣兩個設備之間便會建立link的連接,即ACL鏈路的連接。當ACL 鏈路連接建立後,主設備會發起channel的連接請求,即L2CAP的連接,建立L2CAP的連接之後,主設備採用SDP去查詢從設備的免提服務,從中得到rfcomm的通道號,然後主設備會發起rfcomm的連接請求建立rfcomm的連接。然後就建立了應用的連接。 即link establish-》channel establish-》rfcomm establish-》connection。 二、藍牙的發展 藍牙的支持者很多,從最初只有五家企業發起的藍牙特別興趣小組(SIG)發展到現在已擁有了近3000個企業成員。根據計劃,藍牙從實驗室進入市場經過三個階段: 第一階段是藍牙產品作為附件應用於移動性較大的高端產品中。如移動電話耳機、筆記本電腦插卡或PC卡等,或應用於特殊要求或特殊場合,這種場合只要求性能和功能,而對價格不太敏感,這一階段的時間大約在2001年底到2002年底。 第二階段是藍牙產品嵌入中高檔產品中,如PDA、移動電話、PC、筆記本電腦等。藍牙的價格會進一步下降,估計其芯片價格在10美元左右,而有關的測試和認證工作也將初步完善。這一時間段是2002年~2005年。 第三階段是2005年以後,藍牙進入家用電器、數碼相機及其他各種電子產品中,藍牙網絡隨處可見,藍牙應用開始普及,藍牙產品的價格在2美元~5美元之間,每人都可能擁有2-3個藍牙產品。 就目前而言,藍牙產品的市場化正處於第二階段的起步期。預計到2006年底,藍牙將會有超過10億的無線用户,其中包括5億多使用無線互聯網訪問服務的用户。第三代移動通信技術將為藍牙互聯提供更大的市場,藍牙互聯技術允許手機、便攜設備、個人電腦、筆記本電腦和第三方的接入設備互相連接在一起。安裝藍牙模塊的設備將從2001年的不足100萬台增加到2006年的16億台。 藍牙技術的主要市場將是低端無線聯網領域,提供簡單方便的無線聯網技術是業內最初研發“藍牙”標準的初衷。 以上便是此次小編帶來的“藍牙”相關內容,通過本文,希望大家對藍牙配對和連接的過程以及藍牙發展史具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-22 關鍵詞: 配對 藍牙 指數

  • 藍牙耳機知多少?藍牙耳機功能+選擇介紹

    藍牙耳機知多少?藍牙耳機功能+選擇介紹

    藍牙,已經是我們生活中的常見技術了,不論是手機還是電腦,都已具備藍牙功能。在往期文章中,小編對藍牙技術有所闡述。為增進大家對藍牙的瞭解,本文將對藍牙耳機的功能以及藍牙耳機的選擇予以介紹。如果你對藍牙,抑或是藍牙相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、藍牙耳機的功能有哪些 不管消費者喜歡與否,藍牙耳機離我們每個手持移動智能終端的用户是越來越近了。不然,那些不再預留3.5mm耳機插孔的耳機或平板的聲音該如何安放呢?更何況,隨着藍牙技術的發展,藍牙耳機的功能早已是今非昔比,不可同日而語了。現在的藍牙耳機,有哪些功能?不妨跟隨我們的腳步一起去看看。 功能一:利用音頻媒體設備聽音樂 這個自然是毫無疑問的了,相當大一部分用户置辦藍牙耳機都是為了很好的行走過程聽音樂,上下班擁擠的地鐵裏,能夠安靜的享受屬於自己的音樂空間,是一個非常好的緩解工作壓力和情緒的途徑。而對於運動健身一族,藍牙耳機的配置就更有必要了,能夠激發運動潛能,也能降低運動的單調感和枯燥感,有百利而無一害。 功能二:利用通話媒體設備打電話 對於電話較多的消費者而言,時時舉着大屏手機打電話,着實是一件力氣活,也無法解放自己的左右手。而對於開車一族,藍牙耳機的溝通便捷性,更是首屈一指。不用違反交規,也不用在不合適事宜的時候,接聽一些比較私密的電話。便捷的同時,安全係數又高。 功能三:兼容其他軟件,無線操作 消費者在購買藍牙耳機之前,一定要注意藍牙耳機的兼容性問題,只要藍牙耳機規格和移動終端相兼容,而藍牙耳機目前有主要的兩大規格:HandfreeProfile(HFP)和HeadsetPro-file(HSP)。HFP代表免提功能,而HSP則代表耳機功能。消費者必須先弄清楚自己的手機支持哪種規格,再挑選合適的藍牙耳機配對使用HFP格式的藍牙耳機支持手機功能比較完整,消費者可在耳機上操作手機設定好的重撥、來電保留、來電拒聽等免提選項功能。也有部分機型同時支持HFP與HSP。 二、藍牙耳機的選擇 選購藍牙耳機時,主要從以下幾方面考慮: 1.產品的質量 購買一款藍牙耳機更應該重視產品的質量和性能,比如電池使用時間、輻射量的高低等。而一般劣質或質量較次的藍牙耳機,出於成本的控制,不論在做工上,還是用料上都不能得到保證,產品質量較差,實際使用功能數據相差很大,且輻射量很高。 2.通話質量 因為通話質量是衡量一個藍牙耳機品質優劣的基本參數,一般情況下,使用杆式設計的藍牙耳機,因其麥克風距離嘴邊更近,所獲得的通話質量相對優於其他類型的產品。 3.待機時間 因為這和手機的日常使用一樣,耳機待機時間越長,就能避免時常充電的煩惱,這也是衡量藍牙耳機性能的標準之一。 4.佩帶舒適度 人的耳朵是比較嬌弱的,如果耳機的耳掛材質不好,或者設計上存在一些缺陷,則在佩帶的時間長後,就會產生不適的感覺。因此在購買前應該仔細檢查,選擇適合自己耳形的藍牙耳機。 5.用途 選購藍牙耳機,主要是為了什麼而購買呢?那要看你自己主要是用它來做什麼——①用於語言學習。只需選用價格較低的頭戴式耳機就行,以耳罩式帶音量調節為好,②用於聽新聞。普通的電磁式耳機即可。③用於聽音樂。一般性欣賞音樂,只需購買中檔機,如聽診式或頭戴式動圈耳機。若為欣賞高質量音樂,則應該不計較價格,選購高保真耳機,如優質動圈式、平膜式或電容式耳機。其中高性價比的BRD式耳機為首選。④使用方便。無線藍牙耳機不用連線,使用極為方便,另外還有帶收音功能的耳機,可使你隨時收聽各類語言和音樂節目。⑤聲道。單聲道和雙聲道功放設備要分別配單、雙聲道的耳機。 6.兼容性 選購藍牙耳機時,最重要的問題是手機與耳機是否兼容。有些藍牙耳機與手機不兼容,主要是因為規格不同。藍牙耳機主要有三大規格———HandfreeProfile(HFP)和HeadsetPro-file(HSP)和A2DP三種。HFP代表免提功能,而HSP則代表耳機功能。消費者必須先弄清楚自己的手機支持哪種規格,再挑選合適的藍牙耳機配對使用。A2DP是指高級音頻傳送規格,允許傳輸立體聲音頻信號,質量相對於HFP和HSP要好得多。 HFP格式的藍牙耳機支持手機功能比較完整,消費者可在耳機上操作手機設定好的重撥、來電保留、來電拒聽等免提選項功能。諾基亞、摩托羅拉、索尼愛立信等推出的藍牙耳機幾乎都以支持HFP格式為主。也有部分機型同時支持HFP與HSP.如派美特藍牙耳機是A2DP格式的,兼容HFP和HSP格式,是目前最好的格式版本。 7.芯片品牌 藍牙耳機的芯片供應商主要有三大公司,一是英國的CSR公司,另一個是美國的Broadcom公司,Broadcom的產品在市場上的比重佔到80%以上。 8.傳輸距離 藍牙耳機的傳輸距離也是大家比較關心的問題。藍牙耳機的傳輸距離與藍牙版本無關,主要取決於技術的先進程度。PowerClass2的標準傳輸距離10米;而升級的PowerClass1則將傳輸距離提升到100米,並且提供Hi-Fi立體聲效果。一般而言,手機與藍牙耳機的距離不會太遠,比較保險的傳輸距離約為2米至3米。 9.版本 消費者採購藍牙耳機時,經常會看到Bluetooth1.1、1.2、2.0+EDR、2.1+EDR等數字,數字代表不同規格標準。目前以1.1最普遍、1.2是新的主流、2.0是2006年推出,2.1+EDR版本,最新是3.0是主流,4.0是最新藍牙耳機技術,這些數字代表着版本的不同,同時也代表着該耳機抗干擾的藍牙耳機能力。藍牙版本不同,關乎接收信號的品質。新版本更強調能克服雜訊干擾。新版本都可以向下兼容,消費者選購時應衡量價格和需求。 10.外形 除功能性考慮外,藍牙耳機的外觀造型以及佩戴舒適度也是消費者選購時必須留意的關鍵。每個人臉形不同,用户在購買前要試一試佩戴舒適度,再出手購買。 以上便是此次小編帶來的“藍牙”相關內容,通過本文,希望大家對藍牙耳機的功能和如何選擇藍牙具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-22 關鍵詞: 藍牙耳機 藍牙 指數

  • MEMS加速度計應用前景解析,典型MEMS工藝流程介紹

    MEMS加速度計應用前景解析,典型MEMS工藝流程介紹

    MEMS技術是目前很多廠家都在使用的先進技術之一,在前兩篇文章中,小編對MEMS存儲設備請求調度算法以及MEMS存儲設備的故障管理有所介紹。為增進大家對MEMS的瞭解,本文將對典型的MEMS工藝流程以及MEMS加速度計的運用前景予以闡述。如果你對MEMS具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、典型MEMS工藝流程 MEMS表面微機械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進行的MEMS製造工藝。表面微加工中,採用低壓化學氣相澱積(LPCVD)這一類方法來獲得作為結構單元的薄膜。表面微加工工藝採用若干澱積層來製作結構,然後釋放部件,允許它們做橫向和縱向的運動,從而形成MEMS執行器。最常見的表面微機械結構材料是LPVCD澱積的多晶硅,多晶硅性能穩定且各向同性,通過仔細控制澱積工藝可以很好的控制薄膜應力。此外,表面微加工工藝與集成電路生產工藝兼容,且集成度較高。 下面結合北京大學微系統所的MEMS標準工藝,以一個MEMS中最主要的結構——梁為例介紹一下MEMS表面加工工藝的具體流程。 1.硅片準備 2.熱氧生長二氧化硅(SiO2)作為絕緣層 3.LPCVD澱積氮化硅(Si3N4)作為絕緣及抗蝕層 4.LPCVD澱積多晶硅1(POLY1)作為底電極 5.多晶硅摻雜及退火 6.光刻及腐蝕POLY1,圖形轉移得到POLY1圖形 7.LPCVD磷硅玻璃(PSG)作為犧牲層 8.光刻及腐蝕PSG,圖形轉移得到BUMP圖形 9.光刻及腐蝕PSG形成錨區 10.LPCVD澱積多晶硅2(POLY2)作為結構層 11.多晶硅摻雜及退火 12.光刻及腐蝕POLY2,圖形轉移得到POLY2結構層圖形 13.濺射鋁金屬(Al)層 14.光刻及腐蝕鋁層,圖形轉移得到金屬層圖形 15.釋放得到活動的結構 至此,我們利用MEMS表面加工工藝完成了一個梁的製作。這個工藝流程中共有五塊掩膜版,分別是: 1.POLY1,用的是陽版,形成的多晶1圖形用來提供機械層的電學連接,地極板或屏蔽電極; 2.BUMP,用的是陰版,在犧牲層上形成凹槽,使得以後形成的多晶硅機械層上出現小突起,減小在釋放過程或工作過程中機械層與襯底的接觸面積,起一定的抗粘附作用; 3.ANCHOR,用的是陰版,在犧牲層上刻孔,形成機械層在襯底上的支柱,並提供電學連接; 4.POLY2,用的是陽版,用來形成多晶硅機械結構; 5.METAL,用的是陽版,用來形成電連接或測試接觸。 二、MEMS加速度計的運用前景 MEMS傳感器即微機電系統(Microelectro Mechanical Systems),是在微電子技術基礎上發展起來的多學科交叉的前沿研究領域。經過四十多年的發展,已成為世界矚目的重大科技領域之一。它涉及電子、機械、材料、物理學、化學、生物學、醫學等多種學科與技術,具有廣闊的應用前景。而MEMS加速度計便是其中一種。 目前利用3軸MEMS加速度計開發出的新型應用有: 帶有運動檢測和狀態感知的手機以監視手機所在位置和被使用狀況。這種傳感器能夠提供很多功能,例如更直觀的用户界面和延長電池壽命的智能電源管理。 帶有硬盤保護系統的筆記本計算機和媒體播放器。隨着對便攜式設備存儲能力要求的增加,測量衝擊和跌落事件有助於提高產品的魯棒性。 可移動遊戲機,通過改善當前遊戲的界面和開發新的基於運動的遊戲而提供更多的互動、直觀和趣味的遊戲體驗。數碼相機,通過檢測位置、運動和振動而自動地幫助用户更好地拍照。 由於這些新型功能可以使產品更具特色,因而3軸MEMS加速度計也得到便攜設備遞四方香港的認同。在價格降低到可以接受的水平後,3軸MEMS加速度計將廣泛應用於手機、媒體播放器、視頻遊戲機、照相機和計算機等產品上,有着巨大的市場潛力 以上便是此次小編帶來的“MEMS”相關內容,通過本文,希望大家對典型MEMS工藝和MEMS加速度計前景具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-21 關鍵詞: MEMS MEMS加速度計 指數

  • 深入理解MEMS,MEMS存儲設備故障管理

    深入理解MEMS,MEMS存儲設備故障管理

    MEMS也就是微機電系統,對於MEMS系統,我們或多或少有所認識。上篇文章中,小編對MEMS存儲設備的請求調度算法有所介紹。為增進大家對MEMS的瞭解,本文將對MEMS存儲設備的故障管理予以介紹。如果你對MEMS以及相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 MEMS全稱Micro Electromechanical System,微機電系統。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內部結構一般在微米甚至納米量級,是一個獨立的智能系統。主要由傳感器、動作器(執行器)和微能源三大部分組成。MEMS存儲器是一種新型存儲器件,具有高密度、低功耗、非易失、多探針並行訪問等特點,相對於傳統磁盤具有明顯優勢。可以填補RAM和磁盤之間的性能差距,可在計算機系統中承擔多種角色,為新型高性能海量存儲系統結構研究帶來新思路和新方法。MEMS是一個獨立的智能系統,可大批量生產,其系統尺寸在幾毫米乃至更小,其內部結構一般在微米甚至納米量級。在下面的內容中,小編將基於幾個方面對MEMS存儲設備故障管理加以闡述,詳細如下。 一、內部故障 磁盤常見的故障有兩種:可恢復故障和不可恢復故障。MEMS存儲設備也會出現類似的故障。但是,MEMS存儲設備可以採用多個探針來彌補組件故障,包括可能會導致設備不可用的故障。 對MEMS存儲設備來説,有效的糾錯碼可以通過分佈在多個探針上的數據計算得到。在G2模型中,每個512字節的數據塊和ECC碼分佈在64個探針之問。Ecc碼包括一個垂直部分和一個水平部分。ECC碼水平部分可以從故障的扇區得到恢復,而垂直部分指出哪些扇區可以作為故障扇區對待,同時將大的錯誤轉化為扇區擦除操作。這個簡單的機制説明大部分的內部故障是可以恢復的。 像磁盤一樣,MEMS存儲設備也保留了一些的備用空間(spare space),用來存儲由於探針和介質故障而無法保存在默認位置的數據。MEMS存儲設備的多個探針可以在一個磁道上並行訪問數據,可以避免由於故障需要重新映射帶來的性能和預測開銷。而且,通過在每個磁道設置一個或者多個備用探針(spare tips),不可讀取的數據被重新映射到空閒探針相同的扇區。 二、設備故障 MEMS存儲設備也很容易受到不可恢復的故障影響:外部機械或者靜電強大的作用力能夠損壞觸動器的集電刷或者折斷彈簧,破壞介質表面,損壞設備的電子裝置或者破壞數據通道。如果出現這些故障,可以採用與磁盤一樣的方式來處理。例如,採用設備內部的冗餘和週期性的備份來處理設備故障。 MEMS存儲設備的機械特性在一些容錯機制中更適合處理讀一更新一寫(read-modify-write)操作。一般的磁盤需要轉完整的一圈才能到達相同的扇區,而MEMS存儲設備可以快速的反轉方向,大大減少了讀一更新一寫的延遲。 三、故障恢復 同磁盤一樣,文件系統和數據庫系統需要維護存儲在MEMS存儲設備上對象內部的一致性。雖然採用同步寫操作對性能具有一定影響,但是,MEMS存儲設備的低服務時間可以減少這種損失。另外,MEMS存儲設備沒有轉軸啓動的時間,因此設備啓動速度快,大概只需要0.Sms。即使是高端磁盤,也需要15-25s的時間來啓動轉軸和完成初始化。同時,因為不需要啓動轉軸,就不需要考慮啓動轉軸需要的功耗,也就沒必要採取任何減少功耗的技術,這些都使得所有的MEMS存儲設備可以同時啓動,系統啓動的時間從秒級降到毫秒級。 以上便是此次小編帶來的“MEMS”相關內容,通過本文,希望大家對MEMS存儲設備故障管理具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-21 關鍵詞: 故障 MEMS 指數

  • 深入理解MEMS,MEMS存儲請求調度算法介紹

    深入理解MEMS,MEMS存儲請求調度算法介紹

    MEMS也即微機電系統,電子專業的朋友對MEMS都具備一定認識。在往期文章中,小編對MEMS交換、MEMS封裝等有所介紹。為增進大家對MEMS的瞭解程度,本文中小編將對MEMS存儲設備的請求調度算法以及數據佈局策略予以介紹。如果你對MEMS相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一 引言 MEMS(Micro ElectromechanicalSystem,微機電系統)存儲器是一種新型存儲器件,具有高密度、低功耗、非易失、多探針並行訪問等特點,相對於傳統磁盤具有明顯優勢。可以填補RAM和磁盤之間的性能差距,可在計算機系統中承擔多種角色,為新型高性能海量存儲系統結構研究帶來新思路和新方法。 二 MEMS存儲設備的請求調度算法 (一)磁盤的請求調度算法 第一種是最簡單的、性能最差的先來先服務(FCFS):第二種算法是循環查找(CLOOKLBN)。這種算法是按照LBN升序的方式進行服務,也就是説當所有請求的LBN都落後於當前請求的LBN話,就從涉及到最小LBN的請求開始服務:第三種是最短尋址時間優先(sSTF—BN),主要思想是選擇具有最小尋址延遲的請求,但是在實際應用中卻很少使用。因為很少有主機操作系統具有用計算實際尋址距離或者預測尋址時問的信息,考慮到磁盤LBN到物理位置的映射的關係,大部分的SSTF算法使用的是最近訪問的LBN和目標LBN之間的距離作為訪問時間的近似,這種簡化對磁盤是有效的:第四種是最短定位時間優先算法(SPTF),選擇具有最小定位延遲的請求,對磁盤來説,SPTF算法與其它算法顯着的不同在於它需要考慮尋道時間和旋轉延遲。 將四種調度算法應用到Atalalok上,統計隨機負載在不同的請求到達頻率下Atlas l0k的響應時間。FCFS的性能是四種調度算法中性能最差的,同時,FCFS的性能隨着負載請求的增加性能最快達到飽和。SSTFes LBN的性能比CLOOK LBN要好,SPTF的性能最好,而且SPTF性能達到飽和的速度最慢。 前三種調度算法((FCFS CLOOK LBN和SSTFes LBN)可以利用主機的軟件系統簡單有效的實現。考慮到磁盤LBN到物理位置的映射關係,實現這三種調度算法不需要詳細的設備信息,只需要根據請求的LBN號來選擇要服務的請求。SPTF算法通常是在磁盤驅動器的固件中實現,SPTF算法需要磁盤狀態的準確信息、LBN到物理位置的映射信息、尋址時間和旋轉延遲的準確預測信息等。 (二)MEMS存儲設各請求調度算法 為了方便的將MEMS存儲設備應用到計算機系統中,MEMS存儲設備利用與磁盤相同的接口。為了證明現有的磁盤請求調度算法同樣適用於MEMS存儲設備,將上節中四種磁盤的請求調度算法應用到MEMS存儲設備上。多數的請求調度算法,如SSTF LBN和CLOOKLBN,只需要知道LBN的信息,將LBN之間的距離作為定位時間的估計。SPTF算法涉及到尋址時間和旋轉延遲。而MEMS存儲設備只存在x軸和Y軸方向的尋址,沒有旋轉延遲。與磁盤相同的是,尋址時間是一維的,接近一個線性的LBN空間。與磁盤不同的是,MEMS存儲設備在兩個方向的尋址是並行完成的,選擇較大的作為實際的尋址時間。由於x軸方向存在穩定時間,x軸方向的尋址時間總是比Y軸大。如果Y軸的尋址時間比較大,SPTF的性能僅比SSTF略有優勢。利用Disksim。將磁盤的調度算法應用到MEMS存儲設備上,統計不同的請求到達頻率的隨機負載下的平均響應時間。 四種調度算法在MEMS存儲設備上具有和磁盤類似的性能:FCFS性能最差,SPTF性能最好。但是,FCFS和基於LBN的算法之問的差距比磁盤小。因為在MEMS存儲設備尋址時間在整個服務時間中佔很大比例。CLOOK LBN和SSTF LBN性能差距要比磁盤小。 三 數據佈局策略 (一)小粒度非順序訪問 MEMS存儲設備數據訪問具有與磁盤類似的特性,短距離尋址比長距離尋址要快。與磁盤不同的是,由於彈簧的回覆力的存在,使得不同位置上觸動器作用力的影響不同。彈簧作用力對每個tip的訪問區域不同位置的影響。彈簧的作用力隨着sled位移的增加而增大,對於短距離來説定位時間反而較長。因此,在考慮查找小粒度、常用的數據項的時候,除了考慮尋址距離,還要考慮sled距中心位置的距離。 (二)大粒度順序訪問 MEMS存儲設備和磁盤的流傳輸速率相似:Atals 10K的流傳輸速率是17,3-25,2MB/s,MEMS存儲設備的流傳輸速率為75,9MB/s。MEMS存儲設備的定位時間比磁盤低一個數量級,對MEMS存儲設備來説,定位時間對於大批量數據傳輸影響很小。例如:一個256KB的讀請求在X軸不同位置上的服務時間,在1250個柱面的不同請求之間的服務時間僅差10%。同時減少了大粒度、順序傳送的數據對局部性的需求。但是,對磁盤來説,尋址距離是影響尋址時間的重要因素。同樣,對一個256KB大小的請求,長距離尋址時間可以使整個服務時間增加1倍。 (三)雙向數據佈局 為充分利用MEMS存儲設備的訪問特性,引入了一種雙向佈局策略。小數據存放在最中間的小區域中,大的、順序的流數據存放在外圍的小區域中。這種策略可以採用5X5的網格方式實現。 在假設各個請求內部不存在相關性的前提下,比較雙向佈局、“organ pipe”佈局和一種優化的磁盤佈局的性能。在“organpipe”佈局策略中,最經常訪問的文件存放在磁盤最中間的磁道上,使用頻率稍差的文件存放在中間磁道的兩側,最不經常使用的文件存放在靠近最內部和最外部磁道上。這種佈局策略對磁盤是優化的,缺點是需要根據文件的使用頻率定期的移動文件,還需要維護文件的一些狀態來記錄文件的使用頻率。 以上便是此次小編帶來的“MEMS”相關內容,通過本文,希望大家對MEMS存儲設備的請求調度算法具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-21 關鍵詞: MEMS MEMS存儲 指數

  • 你瞭解光伏逆變器嗎?光伏逆變器構造、壽命介紹

    你瞭解光伏逆變器嗎?光伏逆變器構造、壽命介紹

    電子專業的朋友對於逆變器多少具有一些瞭解,就連普通羣眾或多或少對逆變器也有所耳聞。上篇文章中,小編對逆變器、變壓器之間的關係有所探討。為增進大家對逆變器的瞭解程度,本文將對光伏逆變器的構造以及光伏逆變器的使用壽命予以介紹。如果你對光伏逆變器具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、光伏逆變器構造 逆變器作為一種直交流轉換的電力調整裝置,分為升壓迴路和逆變橋式迴路兩大部分,主要由半導體器件構成。主要半導體器件如下: 1)電流傳感器:要求其精度高、響應快、耐低温、耐高温等,不同功率所採取的電流傳感器不同,一般採用霍爾電流傳感器來進行電流採樣; 2)電流互感器:電流範圍廣,一般採用BRS系列電流互感器; 3)電抗器。 二、光伏逆變器檢查維修的步驟 在遇到光伏逆變器停機的時候,首先需要通過液晶面板上面的關機操作,之後會控制逆變器停機,之後通過把逆變器交流輸出去的斷路器旋轉停止了,斷開逆變器的後面開關之後,就是會讓逆變器直接進行了交流櫃子,之後吧逆變器裏面的兩個直接輸入的斷路器直接旋轉就是到了關閉的狀態裏面,之後斷開自己的前面的開館,要是直接把逆變器設置成為了一個外部的供電的規模,也是可以切斷裏面的外部電源,之後斷路器會退出去進行運行。 之後確定光伏逆變器和交流邊上徹底的斷開之後,就是會使用自己的萬用表格進行檢驗裏面的交流的側面,就是會確定自己不帶點,之後確定不會被重新連上電,然後可以直接的接到了底線上面,觀察逆變器是不是存在懸掛的地方,觀察是不是存在變形的情況,檢查出來周圍是不是有環境上面的濕度,所有的空氣入口的時候都是檢查過濾器是不是正常進行。 啓動光伏逆變器,首先把地線給拆掉,之後把箱子上面的變壓器合上之後到側面開館,然後把逆變器交流輸出的西安路直接打開到開關的階段,之後閉合一個匯流箱一直到開始,然後使用閉合的直流櫃子一直到能夠真正的輸入開始,然後把兩個直流都是到開的階段,等待大約一分鐘的時間裏面,依次的把其他的東西都是打開,逆變器就是可以啓動了。 三、光伏逆變器使用壽命 光伏組件的壽命是25年,逆變器的壽命能不能達到25年,這就要從設備維修方式去説,組串式逆變器一般採用整機更換維修方式,對於電站維護者素質要求比較低,整機壽命取決於壽命最短的部件。集中式逆變器一般採用模塊維修方式,整機分為若干模塊,維修工程師先檢測是哪一個模塊出現故障,再更換故障模塊。整機壽命取決於價值最大部件的壽命,在分佈式光伏電站中,主要使用組串式逆變器,下面主要以組串式為例。 逆變器壽命短板 光伏逆變器是由結構件、電路板、功率開關管、電容、液晶顯示屏和風扇等部件組成。逆變器的使用壽命可以用“木桶理論”來解釋。木桶的最大容量是由最短的木板決定的。逆變器的使用壽命是由壽命最短的部件決定。 (1)電解電容確實是逆變器最容易失效的器件之一。電解電容當中有電解液,隨着時間的推移,電解液可能會蒸發變幹,導致電解電容的等效串聯阻抗增大,在通過相同電流的情況下,較高的ESR會導致電容發熱,從而進一步加劇電解液的蒸發,形成惡性循環,最終導致器件失效。光伏逆變器上最好的電容是NCC電容,其電容規格書中明確寫道:“請注意推算出來的結果並不是保證值,在對設備進行壽命設計的時候,請檢討使用壽命裕量的電容器,還有,推算出來的壽命如果超過15年,請以15年為上限”。 (2)除了電解電容外,還有很多壽命不到25年的元器件,如液晶顯示屏,包括PVC材料的連接件,電纜,接線端子等,導熱硅脂可以及時把電子元器件產生的熱量及時傳導出去,如果沒有導熱硅脂,元氣件產生的熱不能及時傳導出去,那麼元器件就會很快的老化,損壞,但導熱硅脂的壽命一般10年左右。 以上便是此次小編帶來的“逆變器”相關內容,通過本文,希望大家對光伏逆變器的構造以及光伏逆變器的使用壽命具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-20 關鍵詞: 逆變器 光伏逆變器 指數

  • 逆變器與變壓器有何區別?逆變器、變壓器能否互相轉換?

    逆變器與變壓器有何區別?逆變器、變壓器能否互相轉換?

    逆變器是工業中常用的器件,逆變器的作用在於以某種方式改變電流。上篇文章中,小編對正弦逆變器有所介紹。為增進大家對逆變器的瞭解程度,本文將對逆變器和變壓器的區別予以介紹,並探討是否可以將變壓器改變成逆變器。如果你對逆變器具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 變壓器(Transformer)是利用電磁感應的原理來改變交流電壓的裝置,主要構件是初級線圈、次級線圈和鐵芯(磁芯)。被廣泛的使用在工業領域中。 一、變壓器能當逆變器用嗎 變壓器能當逆變器用嗎?答案是不能的,逆變器,是一種逆變裝置組成設備,和變壓器有本質的區別,是由直流輸入,然後輸出交流,工作原理和開關電源一樣,但震盪頻率在一定範圍內,比如如果這個頻率為50HZ,輸出則為交流50HZ。所以説,逆變器是可以改變其輸出頻率的設備。變壓器能當逆變器用嗎?是不能的,變壓器一般是指特定頻率段的設備,是由交流輸入,然後輸出交流,只不過改變輸出電壓的大小。比如工頻變壓器,就是一般見到的那些變壓器,輸入和輸出都是交流電,在40-60HZ範圍內才可以工作。 二、變壓器和逆變器有什麼區別 變壓器和逆變器有什麼區別,逆變器是把直流電源轉換成交流電源,而變壓器是一種應用電磁感應原理實現電能轉換的電器設備,它可以把一種電壓、電流的交流電能轉換成相同頻率的另一種電壓、電流的交流電能。 簡單地説,逆變器就是一種將低壓(12或24伏)直流電轉變為220伏交流電的電子設備。因為我們通常是將220伏交流電整流變成直流電來使用,而逆變器的作用與此相反,因此而得名。我們處在一個“移動”的時代,移動辦公,移動通訊,移動休閒和娛樂。在移動的狀態中,人們不但需要由電池或電瓶供給的低壓直流電,同時更需要我們在日常環境中不可或缺的220伏交流電,逆變器就可以滿足我們的這種需求。 三、變壓器改逆變器(一) 1.需要的硬件:12V/2200UF的電容兩個,80W高頻變壓器一個(12V轉300),直流MOS管3205兩個,交流MOS管740四個,PWM驅動芯片TL594兩個,高壓電容400V/100UF一個,還有LM324一個(用於過欠壓控制),還有一些三極管8050和8550幾個,做驅動電路,電路板一塊。 2.不過還是有相當的難度,成本在100元以內。 3.萬用表一塊 4.一個繼電器可以實現逆變和市電的切換,但需要一個控制電路,切換時間是繼電器的反應時間,在20MS以內。 5.對於不間斷電源來説,一般都是通過可控硅控制的,反應時間快,可以相位跟蹤,對於一些要求高的設備有好處。對於給電池充電的控制可以通過電壓採樣控制電路,加一個繼電器實現。 6.其原理是將直流電通過芯片驅動以及功率管的控制,再將其變壓,能使輸出是50hz的交流電。 四、變壓器改逆變器(二) 圖中,最右側是拆掉的整流板,這樣,左側的變壓器就是純交流通路了,中間是參數,500mA/9V。 試驗整體思路如下 CU板計算髮出正弦PWM,經過H橋模塊的光隔和MOSFET調製出功率PWM,然後直接輸入到變壓器低壓側,H橋的直流源大概10V左右(不敢搞得太高,怕把變壓器燒了),變壓器輸出高壓交流給負載供電。負載是一個交轉直適配器,轉為低壓供給一個帶LED的小板子,這個適配器和LED板作為負載(話説實在沒找到這麼小功率且能有顯示的交流負載)。 下面就看看試驗的整個電路,由於是個試驗,接線比較亂。 先上個H橋輸出的PWM波形的截圖 由可以看出大致是按正弦規律調製的~~~(調了半天程序,才把信號週期調到49.6Hz,分頻數不太好湊。 要確定正弦調製的正確性,還要看下圖:變壓器空載時,輸出的電壓波形 看到這個波形,我很欣慰啊,哈哈,純正的正弦波,峯值有150V 加上負載後波形變得難看些,被削頂了(為了幅值夠高,H橋的電源電壓調至11V左右),輸出的峯值也達到了150V,分析削頂原因,可能是作為負載的電源內部整流環節引起的。 經過試驗驗證,路由變壓器加H橋,在合適的信號源調製下,可以輸出優質的正弦交流電壓。 以上便是此次小編帶來的“逆變器”相關內容,通過本文,希望大家對逆變器和變壓器之間的關係具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-20 關鍵詞: 變壓器 逆變器 指數

  • 什麼是正弦逆變器?正弦逆變器與普通逆變器有何區別?

    什麼是正弦逆變器?正弦逆變器與普通逆變器有何區別?

    逆變器是諸多設備中必備的器件之一,很多遞四方香港致力於生產逆變器。在往期文章中,小編對單相逆變器、併網逆變器有所介紹。為增進大家對逆變器的瞭解程度,本文將對正弦波逆變器予以闡述,並分析正弦逆變器和普通逆變器之間的區別以及如何選擇一款合適的逆變器。如果你對逆變器具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、逆變器 逆變器是一種DC to AC的變壓器,它其實與轉化器是一種電壓逆變的過程。轉換器是將電網的交流電壓轉變為穩定的12V直流輸出,而逆變器是將Adapter輸出的12V直流電壓轉變為高頻的高壓交流電;兩個部分同樣都採用了用得比較多的脈寬調製(PWM)技術。其核心部分都是一個PWM集成控制器,Adapter用的是UC3842,逆變器則採用TL5001芯片。TL5001的工作電壓範圍3.6~40V,其內部設一個誤差放大器,一個調節器、振盪器、有死區控制的PWM發生器、低壓保護迴路及短路保護迴路等。 二、正弦波逆變器概述 正弦波逆變器廣泛運用於各類:微機系統、通信系統、家用、航空、應急、通訊、工業設備、衞星通信設備、軍用車載、醫療救護車、警車、船舶、太陽能及風能發電領域等需要應急後備電源的場所,可構成EPS應急電源系統。性能如下: 1)純正弦波輸出,適用於電視機、電冰箱、電磁爐、電風扇。 2)微波爐、空調等家用設備使用#微電腦(CPU)控制技術,性能優越。 3)超寬輸入電壓範圍、高精度輸出、全自動穩壓。 4)內置過載、短路、過壓、欠壓、過温等保護功能,可靠性高。 5)簡潔明瞭的LED顯示,可升級到全面的數字化LCD顯示,方便觀察機器狀態。 6)供電時間可根據不同要求任意配置。 7)採用閥控式免維護鉛酸電池,智能型電池管理,過充,過放電保護,延長電池使用壽命。 三、正弦波逆變器與普通逆變器有什麼不同 1、純正正炫波逆變器適合任何感性負載和阻性負載,感性負載包括各種有交流電機的設備冰箱洗衣機等。方波及修正波逆變器適合點燈看電視電熱器這些阻性負載,純正正炫波逆變器電魚需要在後級加可控升壓功能造價會很高的。 2、純正正弦波逆變器,功能參數要求嚴格,價格較高,用於對波形參數要求較高的電子電路;一般逆變器是正弦波、方波、雜波等成分的雜合波形,對於一般用電器可以使用,價格較低。 3、純正正炫波逆變器和逆變器的區別就是輸出電壓波形不一樣,純正正炫波逆變器適合所有用電器,一般逆變器適合電爐等純電阻用電器。 四、如何正確選擇逆變器 所謂逆變器就是把直流電轉交流電,讓輸出的電流符合我們的要求。逆變器根據波形來分可以分為方波逆變器、修正波逆變器、正弦波逆變器;按照是否與電網連接來分可以分為併網逆變器和離網逆變器。 如何選擇自己需要的逆變器,宇帆電氣的王工建議您可以按照一下方式來選擇。第一,你需要的逆變器是不是要把電接入國家電網的,如果不是就是離網逆變器;第二,你的負載是什麼,假如是感性負載就要選用功率是負載功率2-3倍的逆變器;第三,對逆變器波形有無嚴格要求,對電流要求嚴格的就必須要用正弦波逆變器,方波逆變器產生的諧波比較嚴重,功率損耗大。 正弦波逆變器的價格一般比較貴,相對方波來講性價比還是比較高的。目前太陽能逆變器、光伏逆變器比較火熱,今年經濟復甦,新能源行業發展迅猛,這個市場需求量增加。 以上便是此次小編帶來的“逆變器”相關內容,通過本文,希望大家對正弦逆變器、正弦逆變器和普通逆變器的區別以及如何選擇一款合適的逆變器具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-20 關鍵詞: 逆變器 正弦逆變器 指數

  • 大佬帶你看CMOS,CMOS集成電路使用操作原則

    大佬帶你看CMOS,CMOS集成電路使用操作原則

    CMOS在生活中十分常見,諸多設備中都存在CMOS的身影,如電腦中的CMOS電池。在上篇文章中,小編對CMOS邏輯門電路有所介紹。為增進大家對CMOS的瞭解,本文將對CMOS集成電路使用操作原則予以闡述。如果你對CMOS具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 所有MOS集成電路(包括 P 溝道 MOS, N 溝道 MOS, 互補 MOS — CMOS 集成電路) 都有一層絕緣柵,以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是 25nm 50nm 80nm 三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網絡進行保護,雖然如此,器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD),實驗指出,在高電壓放電時器件會失效,器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。 按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式,最嚴重的也是最容易發生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至於與電源端 VDD GND 短路或開路,器件完全喪失了原有的功能。稍次一等嚴重的損害是出現斷續的失效或者是性能的退化,那就更難察覺。還有一些靜電損害會使泄漏電流增加導致器件性能變壞。 由於不可避免的短時間操作引起的高靜電電壓放電現像,例如人在打臘地板上走動時會引起高達 4KV - 15KV 的靜電高壓,此高壓與環境濕度和表面的條件有關,因而在使用 CMOS 、NMOS 器件時必須遵守下列預防準則: 1.不要超過手冊上所列出的極限工作條件的限制。 2.器件上所有空閒的輸入端必須接 VDD 或 VSS,並且要接觸良好。 3.所有低阻抗設備(例如脈衝信號發生器等)在接到 CMOS 或 NMOS 集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源,同樣設備與器件斷開後器件才能斷開電源。 4.包含有 CMOS 和 NMOS 集成電路的印刷電路板僅僅是一個器件的延伸,同樣需要遵守操作準則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯線到器件也能引起器件損傷,必須避免一般的塑料包裝,印刷電路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成電路的地址輸入端或輸出端應當串聯一個電阻,由於這些串聯電阻和輸入電容的時間常數增加了延遲時間。這個電阻將會限制由於印刷電路板移動或與易產生靜電的材料接觸所產生的靜電高壓損傷。 5.所有 CMOS 和 NMOS 集成電路的儲存和運輸過程必須採用抗靜電材料做成的容器,而不能按常規將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤內,直到準備使用時才能從抗靜電材料容器中取出來。 6.所有 CMOS 和 NMOS 集成電路應當放置在接地良好的工作台上,鑑於工作人員也能對工作台產出靜電放電,所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地,為此建議工作人員要用牢固的導電帶將手腕或肘部與工作台表面連接良好。 7.尼龍或其它易產生靜電的材料不允許與 CMOS 和 NMOS 集成電路接觸。 8.在自動化操作過程中,由於器件的運動,傳送帶的運動和印刷電路板的運動可能會產生很高的靜電壓,因此要在車間內使用電離空氣鼓風機和增濕機使室內相對濕度在 35% 以上,凡是能和集成電路接觸的設備的頂蓋、底部、側面部分均要採用接地的金屬或其它導電材料。 9.冷凍室要用二氧化碳製冷,並且要放置隔板,而器件必須放在導電材料的容器內。 10.需要扳直外引線和用手工焊接時,要採用手腕接地的措施,焊料罐也要接地。 11.波峯焊時要採用下面措施: a 、波峯焊機的焊料罐和傳送帶系統必須接真地。 b 、工作台採用導電的頂蓋遮蓋,要接真地。 c 、工作人員必須按照預防準則執行。 d 、完成的工件要放到抗靜電容器中,優先送到下一道工序去。 12.清洗印刷電路板要採用下列措施: a 、蒸氣去油劑和籃筐必須接真地,工作人員同樣要接地。 b 、不準使用刷子和噴霧器清洗印數電路板。 c 、從清洗籃中拿出來的工件要立即放入蒸汽去油劑中。 d 、只有在工件接地良好或在工件上採用靜電消除器後才允許使用高速空氣和溶劑。 13.必須有生產線監督者的允許才能使用靜電監測儀。 14.在通電狀態時不準插入或拔出集成電路,絕對應當按下列程序操作: a 、插上集成電路或印刷電路板後才通電。 b 、斷電後才能拔出集成電路或印刷電路板。 15.告誡使用 MOS 集成電路的人員,決不能讓操作人員直接與電氣地相連,為了安全的原因,操作人員與地氣之間的電阻至少應有 100K。 16.操作人員使用棉織品手套而不要用尼龍手套或橡膠手套。 17.在工作區,禁止使用地毯。 18.除非絕對必要外,都不準工作人員觸摸 CMOS 或 NMOS 器件的引線端子。 以上便是此次小編帶來的“CMOS”相關內容,通過本文,希望大家對CMOS集成電路使用操作原則具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-19 關鍵詞: 集成電路 CMOS 指數

  • 深入探討CMOS,CMOS邏輯門電路詳細介紹

    深入探討CMOS,CMOS邏輯門電路詳細介紹

    CMOS在生活中具備眾多應用,諸多電子設備中都具有CMOS的身影。在上篇文章中,小編對CMOS和BIOS的區別、CMOS電平轉換方案有所介紹。為增進大家對CMOS的瞭解程度,本文將對CMOS邏輯門電路予以詳細介紹。如果你對CMOS相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、CMOS邏輯門電路 CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之後 ,所開發出的第二種廣泛應用的數字集成器件,從發展趨勢來看,由於製造工藝的改進,CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較,而它的功耗和抗干擾能力則遠優於TTL。此外,幾乎所有的超大規模存儲器件 ,以及PLD器件都採用CMOS藝製造,且費用較低。 早期生產的CMOS門電路為4000系列 ,隨後發展為4000B系列。當前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器,然後介紹其他CMO邏輯門電路。 MOS管結構圖 MOS管主要參數: 1.開啓電壓VT ·開啓電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓; ·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V; ·通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個方面: (1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 (2)漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中,其溝道長度較短,不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通後 ,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的ID 4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。 5. 低頻跨導gm ·在VDS為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導 ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表徵MOS管放大能力的一個重要參數 ·一般在十分之幾至幾mA/V的範圍內 6. 導通電阻RON ·導通電阻RON説明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數 ·在飽和區,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數值很大 ,一般在幾十千歐到幾百千歐之間。 ·由於在數字電路中 ,MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下,所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似 ·對一般的MOS管而言,RON的數值在幾百歐以內 7. 極間電容 ·三個電極之間都存在着極間電容:柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1~3pF ·CDS約在0.1~1pF之間 8. 低頻噪聲係數NF ·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的 ·由於它的存在,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸   出端也出現不規則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲係數NF來表示,它的單位為分貝(dB) ·這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小 ·低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數 ·場效應管的噪聲係數約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小 二、CMOS反相器 由本書模擬部分已知,MOSFET有P溝道和N溝道兩種,每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。 下圖表示CMOS反相器電路,由兩隻增強型MOSFET組成,其中一個為N溝道結構,另一個為P溝道結構。為了電路能正常工作,要求電源電壓VDD大於兩個管子的開啓電壓的絕對值之和,即VDD>(VTN+|VTP|) 。 1.工作原理 首先考慮兩種極限情況:當vI處於邏輯0時 ,相應的電壓近似為0V;而當vI處於邏輯1時,相應的電壓近似為VDD。假設在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負載管。但是,由於電路是互補對稱的,這種假設可以是任意的,相反的情況亦將導致相同的結果。 下圖分析了當vI=VDD時的工作情況。在TN的輸出特性iD—vDS(vGSN=VDD)(注意vDSN=vO)上,疊加一條負載線,它是負載管TP在 vSGP=0V時的輸出特性iD-vSD。 下圖分析了另一種極限情況,此時對應於vI=0V。此時工作管TN在vGSN=0的情況下運用,其輸出特性iD-vDS幾乎與橫軸重合 ,負載曲線是負載管TP在vsGP=VDD時的輸出特性iD-vDS。由圖可知,工作點決定了VO=VOH≈VDD;通過兩器件的電流接近零值 。可見上述兩種極限情況下的功耗都很低。 由此可知,基本CMOS反相器近似於一理想的邏輯單元,其輸出電壓接近於零或+VDD,而功耗幾乎為零。 2.傳輸特性 下圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中VDD=10V,VTN=|VTP|=VT=2V。由於 VDD>(VTN+|VTP|),因此,當VDD-|VTP|>vI>VTN 時,TN和TP兩管同時導通。考慮到電路是互補對稱的,一器件可將另一器件視為它的漏極負載。還應注意到,器件在放大區(飽和區)呈現恆流特性,兩器件之一可當作高阻值的負載。因此,在過渡區域,傳輸特性變化比較急劇。兩管在VI=VDD/2處轉換狀態。 3.工作速度 CMOS反相器在電容負載情況下,它的開通時間與關閉時間是相等的,這是因為電路具有互補對稱的性質。下圖表示當vI=0V時 ,TN截止,TP導通,由VDD通過TP向負載電容CL充電的情況。由於CMOS反相器中,兩管的gm值均設計得較大,其導通電阻較小,充電迴路的時間常數較小。類似地,亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。 三、CMOS門電路 1.與非門電路 下圖是2輸入端CMOS與非門電路,其中包括兩個串聯的N溝道增強型MOS管和兩個並聯的P溝道增強型MOS管。每個輸入端連到一個N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。當輸入端A、B中只要有一個為低電平時,就會使與它相連的NMOS管截止,與它相連的PMOS管導通,輸出為高電平;僅當A、B全為高電平時,才會使兩個串聯的NMOS管都導通,使兩個並聯的PMOS管都截止,輸出為低電平。 因此,這種電路具有與非的邏輯功能,n個輸入端的與非門必須有n個NMOS管串聯和n個PMOS管並聯。 2.或非門電路 下圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個並聯的N溝道增強型MOS管和兩個串聯的P溝道增強型MOS管。 當輸入端A、B中只要有一個為高電平時,就會使與它相連的NMOS管導通,與它相連的PMOS管截止,輸出為低電平;僅當A、B全為低電平時,兩個並聯NMOS管都截止,兩個串聯的PMOS管都導通,輸出為高電平。 顯然,n個輸入端的或非門必須有n個NMOS管並聯和n個PMOS管並聯。 比較CMOS與非門和或非門可知,與非門的工作管是彼此串聯的,其輸出電壓隨管子個數的增加而增加;或非門則相反,工作管彼此並聯,對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。 3.異或門電路 上圖為CMOS異或門電路。它由一級或非門和一級與或非門組成。 異成門和同或門的邏輯符號如下圖所示。 四、BiCMOS門電路 雙極型CMOS或BiCMOS的特點在於,利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優勢,因而這種邏輯門電路受到用户的重視。 1.BiCMOS反相器 上圖表示基本的BiCMOS反相器電路,為了清楚起見,MOSFET用符號M表示BJT用T表示。T1和T2構成推拉式輸出級。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號vI同時作用於MP和MN的柵極。當vI為高電壓時MN導通而MP截止;而當vI為低電壓時,情況則相反,Mp導通,MN截止。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時,輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理,已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。 上述電路中T1和T2的基區存儲電荷亦可通過M1和M2釋放,以加快 電路的開關速度。當vI為高電壓時M1導通,T1基區的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。同理 ,當vI為低電壓時,電源電壓VDD通過MP以激勵M2使M2導通,顯然T2基區的存儲電荷通過M2而消散。可見,門電路的開關速度可得到改善。 2.BiCMOS門電路 根據前述的CMOS門電路的結構和工作原理,同樣可以用BiCMOS技術實現或非門和與非門。如果要實現或非邏輯關係,輸入信號用來驅動並聯的N溝道MOSFET,而P溝道MOSFET則彼此串聯。正如下圖所示的 2輸入端或非門 當A和B均為低電平時,則兩個MOSFET MPA和MPB均導通,T1導通而MNA和MNB均截止,輸出L為高電平。與此同時,M1通過MPA和MpB被VDD所激勵,從而為T2的基區存儲電荷提供一條釋放通路。 另一方面,當兩輸入端A和B中之一為高電平時 ,則MpA和MpB的通路被斷開,並且MNA或MNB導通,將使輸出端為低電平。同時,M1A或M1B為T1的基極存儲電荷提供一條釋放道路。因此 ,只要有一個輸入端接高電平,輸出即為低電平。 五、CMOS傳輸門 MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關係,因而它們常用作模擬開關。模擬開關廣泛地用於取樣——保持電路、斬波電路、模數和數模轉換電路等。下面着重介紹CMOS傳輸門。 所謂傳輸門(TG)就是一種傳輸模擬信號的模擬開關。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET並聯而成,如上圖所示。TP和TN是結構對稱的器件,它們的漏極和源極是可互換的。設它們的開啓電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化範圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結任何時刻都不致正偏 ,故TP的襯底接+5V電壓,而TN的襯底接-5V電壓 。 傳輸門的工作情況如下:當C端接低電壓-5V時TN的柵壓即為-5V,vI取-5V到+5V範圍內的任意值時,TN均不導通。同時,TP的柵壓為+5V,TP亦不導通。可見,當C端接低電壓時,開關是斷開的。 為使開關接通,可將C端接高電壓+5V。此時TN的柵壓為+5V ,vI在-5V到+3V的範圍內,TN導通。同時TP的棚壓為-5V ,vI在-3V到+5V的範圍內TP將導通。 由上分析可知,當vI<-3V時,僅有TN導通,而當vI>+3V時,僅有TP導通當vI在-3V到+3V的範圍內,TN和TP兩管均導通。進一步分析 還可看到,一管導通的程度愈深,另一管的導通程度則相應地減小。換句話説,當一管的導通電阻減小,則另一管的導通電阻就增加。由於兩管系並聯運行,可近似地認為開關的導通電阻近似為一常數。這是CMOS傳輸出門的優點。 在正常工作時,模擬開關的導通電阻值約為數百歐,當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時,可以忽略不計。 CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關之外,也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。 以上便是此次小編帶來的“CMOS”相關內容,通過本文,希望大家對CMOS邏輯門電路具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-19 關鍵詞: 邏輯門電路 CMOS 指數

  • CMOS與BIOS有何區別?CMOS電平轉換方案介紹

    CMOS與BIOS有何區別?CMOS電平轉換方案介紹

    CMOS是傳感器之一,在生活中,我們對CMOS也有所耳聞。在往期相關文章中,小編對CMOS攝像機、背照式CMOS、CMOS模擬開關等內容有所介紹。為增進大家對CMOS的瞭解程度,本文中,小編將對CMOS和BIOS的區別、CMOS電平轉換電路以及CMOS電平轉換方案予以介紹。如果你對CMOS相關知識具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、CMOS與BIOS區別 由於CMOS與BIOS都跟電腦系統設置密切相關,所以才有CMOS設置和BIOS設置的説法。也正因此,初學者常將二者混淆。CMOS RAM是系統參數存放的地方,而BIOS中系統設置程序是完成參數設置的手段。因此,準確的説法應是通過BIOS設置程序對CMOS參數進行設置。而我們平常所説的CMOS設置和BIOS設置是其簡化説法,也就在一定程度上造成了兩個概念的混淆。 二、CMOS電平轉換電路 1、 TTL電路和CMOS電路的邏輯電平 VOH: 邏輯電平 1 的輸出電壓 VOL: 邏輯電平 0 的輸出電壓 VIH : 邏輯電平 1 的輸入電壓 VIH : 邏輯電平 0 的輸入電壓 TTL電路臨界值: VOHmin = 2.4V VOLmax = 0.4V VIHmin = 2.0V VILmax = 0.8V CMOS電路臨界值(電源電壓為+5V) VOHmin = 4.99V VOLmax = 0.01V VIHmin = 3.5V VILmax = 1.5V 2、TTL和CMOS的邏輯電平轉換 CMOS電平能驅動TTL電平 TTL電平不能驅動CMOS電平,需加上拉電阻。 3、用邏輯芯片特點 74LS系列: TTL 輸入: TTL; 輸出:TTL 74HC系列:CMOS輸入: CMOS; 輸出:CMOS 74HCT系列: CMOS 輸入:TTL; 輸出: CMOS CD4000系列: CMOS 輸入: CMOS 輸出: CMOS。 三、電平轉換方案 (1) 晶體管+上拉電阻法 就是一個雙極型三極管或 MOSFET,C/D極接一個上拉電阻到正電源,輸入電平很靈活,輸出電平大致就是正電源電平。 (2) OC/OD 器件+上拉電阻法 跟 (1) 類似。適用於器件輸出剛好為 OC/OD 的場合。 (3) 74xHCT系列芯片升壓 (3.3V→5V) 凡是輸入與 5V TTL 電平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 電平轉換。 ——這是由於 3.3V CMOS 的電平剛好和5V TTL電平兼容(巧合),而 CMOS 的輸出電平總是接近電源電平的。 廉價的選擇如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/。。。) 系列 (那個字母 T 就表示 TTL 兼容)。 (4) 超限輸入降壓法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, 。。。) 凡是允許輸入電平超過電源的邏輯器件,都可以用作降低電平。 這裏的“超限”是指超過電源,許多較古老的器件都不允許輸入電壓超過電源,但越來越多的新器件取消了這個限制 (改變了輸入級保護電路)。 例如,74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明確註明“輸入電壓範圍為0~5.5V”,如果採用 3.3V 供電,就可以實現 5V→3.3V 電平轉換。 (5) 專用電平轉換芯片 最著名的就是 164245,不僅可以用作升壓/降壓,而且允許兩邊電源不同步。這是最通用的電平轉換方案,但是也是很昂貴的 (俺前不久買還是¥45/片,雖是零售,也貴的嚇人),因此若非必要,最好用前兩個方案。 (6) 電阻分壓法 最簡單的降低電平的方法。5V電平,經1.6k+3.3k電阻分壓,就是3.3V。 (7) 限流電阻法 如果嫌上面的兩個電阻太多,有時還可以只串聯一個限流電阻。某些芯片雖然原則上不允許輸入電平超過電源,但只要串聯一個限流電阻,保證輸入保護電流不超過極限(如 74HC 系列為 20mA),仍然是安全的。 以上便是此次小編帶來的“CMOS”相關內容,通過本文,希望大家對CMOS和BIOS的區別、CMOS電平轉換方案具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-19 關鍵詞: CMOS BIOS 指數

  • 大佬帶你看ADC,驅動ADC放大器配置技術實例!!

    大佬帶你看ADC,驅動ADC放大器配置技術實例!!

    ADC,數模轉換器,在電子專業具備一定的知名度。作為普通羣眾,我們或多或少也聽過ADC的名氣。前文中,小編對驅動ADC的放大器配置技術有所介紹。為增進大家對ADC的瞭解程度,本文將對驅動ADC的放大器配置技術的實例加以闡述。如果你對ADC具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、為什麼選擇放大器,而不選擇變壓器? 放大器的性能限制比變壓器少。如果必須保持直流(DC)電平,就必須使用放大器,因為變壓器是固有的交流(AC)器件。另外,如果需要,變壓器可以提供電流隔離。放大器提供增益比較容易,因為放大器的輸出阻抗實質上與增益無關。另一方面,變壓器的輸出阻抗與電壓增益呈平方關係增加--電壓增益取決於匝數比。放大器在通帶範圍內提供平坦的響應,而沒有由於變壓器寄生交互作用引起的紋波。 放大器通常產生的噪聲有多大?如何減少這些噪聲? 舉例考慮—個典型的放大器,例如ADA49371,如果設置增益G=1,那麼輸出的噪聲譜密度在高頻部分是 ,與此頻帶可比的採樣速率為80MSPS的AD9446-802ADC的輸入噪聲譜密度是 。這裏的問題是,放大器的噪聲帶寬等於ADC的全帶寬(中心頻率位於500MHz),而ADC的噪聲又必須限制在第一奈奎斯特範區(40MHz)。在沒有濾波器的情況下,放大器的噪聲有效值是155μVrms,ADC的噪聲有效值是90μV。從理論上講,總系統的信噪比(SNR)降低了6dB。為了從實驗上證實這—點,用ADA4937驅 動的AD9446-80測量的SNR結果是76dBFS,本底噪聲是-118dB。如果改用變壓器來驅動AD9446-80,測量SNR結果足82dBFS。因此用放大器驅動ADC可將SNR降低6dB。 為了提高ADC的信噪比,在放大器和ADC之間加了一個濾波器。如果使用的是一個100 MHz的雙極點濾波器,放大器的總噪聲有效值變為71 μV, 使ADC的信噪比僅降低3dB。使用雙極點濾波器改善了SNR達到79 dBFS,本底噪聲為-121dB。構建雙極點濾波器的方法是放大器的每個輸出引腳都串聯一個24Ω的電阻器和一個30 nH的電感器並且差分連接一個47pF的電容器,下圖所示的使用外接雙極點噪聲濾波器的ADA4937放大器驅動AD9446-80ADC原理圖。 二、驅動(△∑ )ADC的放大器配置技術 *輸入緩衝器技術 許多△∑轉換器包含了輸入緩衝器及可編程增益放大器(PGA)。輸入緩衝器增加了輸入阻抗,允許直接連接高源阻抗的信號。可編程增益放大器增加了測量小信號時轉換器的精確度。橋接式傳感器就是在轉換器中利用了PGA優勢的信號源的典型示例。 所有的ADC都需要一個基準,對於高分辨率的轉換器來説,擁有一個低噪聲、低漂移的基準是至關重要的。大多數的△∑轉換器都採用了差分基準輸入。 *舉例--以新型橋接傳感器作為△∑ADC的模擬前端的ADS1230/32/34型△∑ADC芯片。 用於橋接傳感器的完全模擬前端ADS1230/32/34型△∑ADC芯片是分別為精密型20位及24位 △∑ADC,具有一個板載超低噪聲可編程增益放大器(PGA)及內置振盪器PGA支持用户自選擇增益: 1、2。64、128。該ADC具有235位有效分辨率。由3階調製器及4階數字濾波器組成,支持10SPS及80SPS的數據率。器件的所有功能都可通過專用的I/O引腳控制,簡化了運轉模式。下圖為ADS1230結構組成示意圖。 *主要特點 超低噪聲:10SP5時為17nVRMS(PGA=128),80SP5時為44n nVRMS(PGA=128)V;增益為64時,無噪聲分辨率可達19.2位;優異的50至60MHz抑制性能(於10SP5時);單通道差分輸入為AD51230;雙通道差分輸入為AD51232;四通道差分輸入為AD51234;內置温度傳感器,有簡易的雙線串行數字接口;電源電壓範圍為2.7V至5.25V;封裝模式為:TSSOP-16封裝(AD51230),TSSOP-24封裝(AD51232),TSSOP-28封裝(AD51234)。可在衡器、應變測量與壓力傳感器及工業流程控制等設備上應用。 三、驅動逐次逼近型(SAR)ADC的放大器配置技術 現代的SAR ADC使用簡化的電容接受輸入信號的電壓充電。由於ADC存在輸入電容、輸入阻抗以及外部電路,因此需要一個穩定時間使採樣電容的電壓與所測量的電壓等值。最小化外部電路的源阻抗是降低的穩定時間的途徑之一,並同時確保了在ADC的採集時間內輸入信號被準確的獲取。但是,另一個更為棘手的設計約束則是SAR ADC輸入端所具有的、用以驅動電路的動態負載。 當採用運算放大器驅動器驅動ADC輸入時,運算放大器必需能承載這樣的動態範圍,並在採集時間內穩定於所需要的精度範圍。 SAR ADC的基準輸入迴路也會給基準電壓帶來相似的負載。儘管基準電壓被認為是非常穩定的直流電壓,但ADC基準輸入端所呈獻的動態負載使得這樣的目標實現起來有了一定的難度。因此需要為基準電壓配備緩衝電路,並且為此所使用的運算放大器應與驅動ADC輸入端的運算放大器有着相似的要求。但實際上,此處對運算放大器的需求甚至要高於ADC輸入端,因為基準輸入必需在一個時鐘週期內都保持穩定。部分轉換器將這樣的基準緩衝放大器內置於芯片中。在緩衝此類輸入時,採用具有低寬帶輸出阻抗的運算放大器是保持此類轉換器精確度的最好方法。 以上便是此次小編帶來的“ADC”相關內容,通過本文,希望大家對驅動ADC的放大器配置技術實例具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-18 關鍵詞: 實例 ADC 指數

  • 你真的瞭解ADC嗎?你聽過驅動ADC放大器配置技術嗎?

    你真的瞭解ADC嗎?你聽過驅動ADC放大器配置技術嗎?

    ADC,也即數模轉換器,在工業中具備眾多應多。在前面的文章中,小編對基於架構的ADC分類有所介紹。為增進大家對ADC的瞭解程度,本文將對驅動ADC的放大器配置技術予以介紹。如果你對ADC,抑或是對ADC相關技術具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 高性能模數轉換器(ADC)“前端”的輸入配置設計對達到要求的系統性能至關重要。優化總體設計取決於很多因素,包括應用性質、系統組成和ADC的結構。以下僅就使用放大器影響ADC前端設計的一些重要的考慮作分析。 首先要説明驅動模數轉換器的放大器配置技術的基本理念。 數據採集系統通常需要在ADC前端前置放大器以緩衝輸入信號。由於採樣及轉換期間的容性充電及切換,使得絕大多數的現代ADC都具有複雜的輸入特徵。該操作在ADC的輸入端所產生的瞬態電流將擾亂並扭曲精密的模擬輸入信號。而輸入放大器配置或伺服則可以在存在此類電流瞬變時提供一個穩定、精確的信號。同時還可提供增益(或衰減)、電平切換、濾波以及其他信號調節能力。選擇輸入運算放大器需要進行多方面考慮。通過直流精確性選取可大大縮小放大器選擇的範圍。所選的放大器必須具有足夠低的偏置電壓、偏置點電壓漂移、輸入偏置電流、噪聲等等,以滿足精確度的需求。但動態性能的特性的考慮,往往是選擇過程中最棘手的問題。因為放大器必須具有滿足要求的動態信號特性,。如多路數據採集系統要求運算放大器具有卓越的動態性能。 *放大器配置技術的幾個指標因素 時域問題--某些應用要求放大器在輸入電壓變化的全刻度範圍內都有精確的響應。例如,多輸入系統的可能出現兩個相鄰輸入端的輸入電壓信號值都等於滿刻度值的情況。放大器及ADC必須在單個採樣週期內對此類突然的全刻度變化做出響應。 穩定時間--通常用來描述放大器對大改變量的輸入信號響應的能力輸出電壓與時間的特性曲線。 穩定時間包括了取決於轉換速率的大信號週期以及取決於放大器帶寬的小信號穩定週期。轉換時間因步長不同而各異。儘管只對特定的步長作了一般性的規定,但對於其它步長的穩定時間還是可從單步的轉換期段推斷得出。 穩定波形的小信號期段(small-signal porTIon)受到輸入放大器增益的影響。如果放大器被置為較高的增益,系統帶寬會下降,從而比例性的增加了穩定波形的小信號期段。 頻域性能--許多ADC都被用於數字化動態波形,例如音頻。在此類系統中,快速的全刻度信號階變很少出現,甚至不可能碰到。因此,此類系統的優劣一般以數字化信號的譜純淨度作為衡量準則。支持此類應用的放大器,應帶有所需的防失真性能。許多放大器都採用了THD+N(總諧波失真+噪聲)進行詳細標明。當然也存在其它方面的衡量。所有這些衡量都採用純淨正弦波(或合成正弦波),並測定輸入端不含有,而在輸出端出現的光譜內容。 *放大器配置技術中的RC網絡應用 輸入放大器通常通過RC網絡連接到ADC。 雖然常被稱為濾波器,但此類網絡實際上是因ADC輸入電路而產生的電流脈衝出現時的一個伺服”調速輪”(flywheel)。RC網絡電路的取值同時取決於放大器及ADC的特性,並經常需要針 對特殊應用進行優化。最適宜的電容一般為ADC輸入電容值的10=+50倍。電阻值的選擇則應當滿足速度或應用需求的帶寬的要求。 以上便是此次小編帶來的“ADC”相關內容,通過本文,希望大家對驅動ADC放大器配置技術具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-18 關鍵詞: 配置 ADC 指數

  • ADC具備哪些分類?基於架構的ADC分類你知道嗎?

    ADC具備哪些分類?基於架構的ADC分類你知道嗎?

    ADC是現在常用器件,對於ADC,電子專業的朋友相對更為熟悉。在往期文章中,小編對管道ADC、流水線ADC均有所介紹。為增進大家對ADC的瞭解程度,這篇文章將介紹基於架構的ADC分類。如果你對ADC具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 ADC作為數據採集系統中的轉換器,它的應用包括了音頻、工業流程控制、電源管理、便攜式/電池供電儀表、PDA、測試儀器分析及測試儀表、醫學儀表等領域。正因為它的用途如此廣泛,所以作系統設計人員首先迂到是如何選擇ADC,而選擇ADC又必須瞭解它的分類與特徵,在這基礎上更要了解ADC前端設計技術,這樣才能實現工控或檢測系統的高可靠與高精度。本文將此作介紹分析。 ADC按某架構分類有四大類,即Delta-Sigma( △∑ )ADC、逐次逼近型(SAR)ADC、大帶寬△∑ADC及智能型ADC。在此僅對前三類作分析。 一、Delta-Sigma( △∑ )ADC 1.基本架構 △∑ADC由一個△∑調製器以及後序的數字抽樣濾波器組成。 調製器由一個帶DAC的反饋迴路紐成,迴路中包括了一個比較器及一個積分器。迴路通過時鐘同步。 2.特徵 △∑轉換器擁有非常高的分辨率,可理想的用於轉換極寬頻率範圍(從直流到好幾個MHz)的信號。在△∑ADC中,輸入信號先通過一個調製器實現過採樣,而後由數字濾波器所產生的、採樣率較低的高分辨率數據流完成濾波及抽取。 △∑的架構模式允許犧牲分辨率來換取速度,或同時折衷換取速度及功耗。正是數據率、分辨率、功耗三者之間密切且不間斷的聯繫,使得△∑轉換器格外的靈活。在很多△∑轉換器中,分辨率是可編程設定的,從而使單個器件能滿足多個不同度量的需求。 △∑轉換器對輸入過採樣,因而能在數字域完成大多數的反鋸齒濾波。現代的超大型集成電路設計技術已經使得複雜數字濾波器的成本遠低於同等的模擬濾波器。原來不同尋常的某些功能,諸如對50Hz及60Hz的帶阻濾波,現在已經內置到很多的△∑ADC之中。 △∑轉換器的運作有別於逐次逼近型(SAR)轉換器。SAR轉換器獲得輸入電壓的一個“映像”,通過對“映像”的分析決定響應的數字代碼。而△∑測量的是一段確定時間的輸入信號,其輸出響應的數字代碼是根據信號的時間平均得來的。對於△∑的工作方式有清晰的認識是很重要的,特別是對於設計中包含多路複用技術及同步的情況。 對多個△∑轉換器的同步並不困難,因此很容易實現多個轉換器的同時刻採樣,而比較困難的則是實現△∑轉換器與外部事件的同步。△∑轉換器還對系統時鐘抖動(CIock iftter)有極高的抵抗能力。其過採樣功能有效的平均了抖動,降低了其噪聲影響。 3.應用 △∑的典型高精度應用包括了音頻、工業流程控制、分析及測試儀表、醫學儀表。 近期ADC架構領域的革新帶來了新一代的ADC架構,此架構同時採用了流水線及過採樣率準則。因此,超高速轉換器將數據率推向了MSP5(百萬抽樣率每秒)的級別,同時保持了16位甚至更高的精度。這樣的速度支持了眾多最新的大帶寬信號處理應用,例如通信及醫學成像。 二、大帶寬△∑ADC特徵 大帶寬△∑ADC具有非常高的分辨率,可轉換覆蓋極寬頻率範圍的信號--從直流至若干MHz。採用此類ADC的系統將得益於其高速、高精度性能以及大帶寬(直流至5MHz)。此類ADC採用了多級的調製器架構,從而提供了優異的內在穩定性,並通過降低過採樣率(OSR)提高了信號量化噪聲比(SQNR)。此外,該高速的△∑轉換器具有非常強的系統時鐘抖動耐受性。過採樣的操作弱化了抖動,降低了噪聲的影響。速度及精度的結合可支持大帶寬信號處理的應用。以用於生物醫學、台架(bench)測試和測量以及通信應用中先進的科學儀表。 三、逐次逼近型(SAR)ADC 1.基本架構 在SARADC內部。數位是由單個高速、高準確度比較器一位一位確定的,從MSB/最高有效㈣到LSB/最低有效62)。比較的坌過程是通過模擬輸入信號與DAC的輸出比較.而後根據比較結果。在DAC輸出端先前確定的數位的基礎上不斷的調整,使DAC輸出信號逐步逼近模擬信號.並最終完成轉換。 2.特徵 逐次逼近存儲(SAR)轉換器是針對中等採樣速率的中高分辨率應用常用的架構。SARADC分辨率範圍從8位至18位不等,典型速度值低於10MSPS,擁有較低的功率損耗及小外形。SAR轉換器依照與平衡校準類似的原理運作。在校準時,未知重量被置於天平的一端,同時將已知重量添加置另一端,通過減少或添加(kept)直至兩端達到完美的平衡。未知重量可通過添加的已知總量的總數測量得出。在SAR轉換器中,輸入信號是未知量,通過採樣並保持。該電壓隨後將於連續的已知電壓比較,其結果由轉換器輸出。但與重量測量不同.轉換可通過電荷再分配技術在非常短的時間內完成。 由於SAR AD C需要對輸入信號採樣,並將採樣值保持到轉換完成,其架構並不產生對自然輸入信號的損耗,因此也並不要求輸入信號是連續的。這也使得SAR架構可理想的用於轉換器前置多路複用器的應用,或用於轉換器只需要每幾秒鐘測量一次的應用以及對測量的耐久性有需求的應用。在轉換時間保持不變得多種情況下,SAR架構的轉換器較之流水線型或厶∑轉換器擁有更短的採樣至轉換延時。 3.應用 SAR轉換器是各類實時應用的理想選擇,例如工業控制、電機控制、電源管理、便攜式/電池供電儀表、PDA(個人數字助理,也稱掌上電腦)、測試儀器及數據/信號採集。 以上便是此次小編帶來的“ADC”相關內容,通過本文,希望大家對基於架構的ADC分類具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-18 關鍵詞: 分類 ADC 指數

  • 三元鋰電池能使用多久?哪些因素影響三元鋰電池使用年限?

    三元鋰電池能使用多久?哪些因素影響三元鋰電池使用年限?

    鋰電池是生活中常見的電池類型之一,但就鋰電池而言,它又具備諸多細分類別,如三元鋰電池。為增進大家對鋰電池的認識程度,本文將對三元鋰電池、三元鋰電池的使用壽命、影響三元鋰電池壽命的因素以及三元鋰電池的應用予以介紹。如果你對鋰電池具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、三元鋰電池 三元聚合物鋰電池是指正極材料使用鋰鎳鈷錳或者鎳鈷鋁酸鋰的三元正極材料的鋰電池,鋰離子電池的正極材料有很多種,主要有鈷酸鋰、錳酸鋰、鎳酸鋰、三元材料、磷酸鐵鋰等。其中磷酸鐵鋰作為正極材料的電池充放電循環壽命長,但其缺點是能量密度、高低温性能、充放電倍率特性均存在較大差距,且生產成本較高,磷酸鐵鋰電池技術和應用已經遇到發展的瓶頸;錳酸鋰電池能量密度低、高温下的循環穩定性和存儲性能較差,因而錳酸鋰僅作為國際第1代動力鋰電的正極材料;而多元材料因具有綜合性能和成本的雙重優勢日益被行業所關注和認同,逐步超越磷酸鐵鋰和錳酸鋰成為主流的技術路線。三元材料的電芯代替了廣泛使用的鈷酸鋰電芯,在筆記本電池領域廣泛使用。 二、三元鋰電池使用壽命 根據國家規定,電動汽車動力電池容量衰減到新電池狀態的80%以下,可視作動力電池使用壽命的終結。 而根據電池的標準,三元鋰電池的壽命是由電池的循環次數來進行決定,而三元鋰電池的容量是會隨着充放電次數的增加而不斷衰減的。在相關實驗室中,以1C的充放電倍率給三元鋰電池持續充放電,經過1000次充電循環後,電池容量降至新電池狀態的80%。 按照目前三元鋰電池的技術水平,目前電動汽車普遍使用的動力電池容量密度為260Wh/kg,按照該能量密度來計算,以一年兩萬公里來進行計算,根據淺充淺放來計算的話,循環壽命至少有1000次。如果使用得當,在電動汽車上起碼可以使用5到8年左右的時間。 三、影響三元鋰電池使用壽命因素 至於有哪些因素會影響到三元鋰電池的使用壽命,氫雲鏈認為這需要從電池本身的結構上面和使用上面來進行分析,比如:電池材質、使用環境和最佳工作狀態等。 具體來説,在使用的過程中,由於使用不當,導致鋰電池內部會發生不可逆的電化學反應導致容量下降,比如電池內部的電解液的分解,電池內部的活性材料的失去了活性等都會直接導致三元鋰電池壽命鋭減。 當然,電動汽車動力電池使用壽命終結,並不是説電池不能充電,也不能放電,而是説此時電池的放電量與新電池狀態相比下降較多,繼續使用的話,會給用户帶來較差的用車體驗。由於動力電池使用壽命標準是前幾年制定的,那時候電池容量小,電動汽車續駛里程短,衰減到新電池80%以下,的確感覺續駛里程縮短了很多。比如續駛里程本來有200公里的,電池衰減到80%了,行駛160公里就要充電了。現在電動汽車續駛里程已經較高,衰減20%對用户的用車感受已經沒有那麼大了。 四、三元鋰電池的應用 據統計,三元鋰電池的應用到明年將會提升百分之八,我們通常使用的乘用車使用三元鋰電池,應用滲透率增長非常快,四年前就已經達到了將近百分之六十,而專用車上的使用比乘用車滲透率更高。當今主流銷量車,比如北汽和寶馬,已經全部使用三元鋰電池,因此三元鋰電池在各種電動汽車中的應用是十分普遍的。 綜上所述,我們知道了三元鋰電池的性能相比前幾年已經有了大的改善和提升,相比正常的鈷酸鋰電池,三元鋰電池的標稱電壓以及容量已經大大超越了它們。雖然三元鋰電池的製造成本相對較高,但是它的容量密度以及循環性能是非常高的,因此使用壽命相對較長。除此之外,三元鋰電池在各種乘用車和專用車的使用上已經應用十分廣泛了,所以三元鋰電池可以説是電池中的佼佼者。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對三元鋰電池、三元鋰電池的使用壽命、影響三元鋰電池壽命的因素以及三元鋰電池的應用具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 三元鋰電池 指數

  • 鋰電池為何爆炸起火?鋰電池爆炸機率有多大?

    鋰電池為何爆炸起火?鋰電池爆炸機率有多大?

    鋰電池在諸多電子設備中均有所應用,對於鋰電池,我們通常也較為熟悉。前文中,小編對鋰電池保護板的使用方法以及鋰電池保護板的選購要點有所介紹。為增進大家對鋰電池的瞭解程度,本文將對鋰電池爆炸起火的原因予以分析,並探討鋰電池的爆炸機率。如果你對鋰電池具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、鋰電池為何爆炸起火 1.鋰電池負極容量不足 當鋰電池正極部位的負極部位容量不足時,充電時所產生的鋰原子無法插入負極石墨的間層結構中,會析在負極的表面,形成結晶。在鋰電池中長期形成結晶會導致短路,這時電芯急劇放電,會產生大量的熱,燒壞隔膜。高温會使電解液分解成氣體,當壓力過大時,電芯就會爆炸。 2.水份含量過高 充電時,水份可以和鋰發生反應,生成氧化鋰,使電芯的容量損失,易使電芯過充而生成氣體,水份的分解電壓較低,充電時很容易分解生成氣體,當這一系列生成的氣體會使電芯的內部壓力增大,當電芯的外殼無法承受時,電芯就會爆炸。 3.內部短路 內部電芯短路造成大電流放電,產生大量的熱,燒壞隔膜,而造成更大的短路現象,會使電解液分解成氣體,內部壓力過大,電芯就會爆炸。 4.鋰電池過充 電芯過充電時,正極的鋰過度放出會使正極的結構發生變化,而放出的鋰過多也容易無法插入負極中,也容易造成負極表面析鋰,而且,當電壓達到4.5V以上時,電解液會分解生產大量的氣體。上面種種均可能造成爆炸。 5.外部短路 外部短路可能由於正負極接錯所導致,由於外部短路,電池放電電流很大,會使電芯的發熱,高温會使電芯內部的隔膜收縮或完全壞壞,造成內部短路,因而爆炸。 二、鋰電池爆炸機率是大是小 鋰電池容易爆炸嗎?鋰電池爆炸威力有多大?儘管鋰電池總體上非常安全,但它們偶爾會着火或爆炸。我們經常會看到一些由於鋰電池而引起的各種安全事故,給人印象最深刻的莫過於鋰電池產生的爆炸、起火等現象。 鋰電池從誕生到現在已經發展幾十多年了,目前市面上的大部分手機也均內置的是鋰電池,儘管發展幾十年,但鋰電池仍不能保證百分百安全,在某些特定環境下,甚至會發生爆炸。 鋰在儲量方面非常出色。當它作為涓涓細流被釋放時,它會為你的手機供電一整天。但當它一次性全部釋放時,電池就會爆炸。大多數鋰電池起火和爆炸都是由於短路引起的。這種情況發生在塑料分離器失靈的情況下,從而讓陽極和陰極直接接觸。一旦這兩極聚在一起,電池就會開始過熱。 只要是鋰電池,就有存在爆炸的風險,只是這是風險概率很小。但是一旦爆炸,容量越大的鋰電池爆炸的威力就無法想象。 鋰電池爆炸有兩個重要的誘因,一個是短路,一個是過充。短路很容易理解,就是電池正負極直接接觸。第一,正常短時間內的,小面積內的短路所產生的熱量其實很少,不會造成熱失控。電芯本身設計時使用有個防爆閥,意思就是當電芯內部壓力超過了一定的值時,就會衝開防爆閥,熱量快速消散。第二就是正常使用的電池充電設備都防過充保護,當電池電壓達到一定值時就會停止充電。第三電芯本身殼體就是鋼殼,具有很好的保護性。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對鋰電池爆炸起火的原因有所瞭解,並對鋰電池爆炸機率具備一定的認識。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 爆炸 指數

  • 鋰電池保護板如何使用?如何選購鋰電池保護板?

    鋰電池保護板如何使用?如何選購鋰電池保護板?

    鋰電池在現實中具有眾多應用,諸多電子設備中均存在鋰電池的身影。在往期文章中,小編對鋰電池保護板故障有所闡述。為增進大家對鋰電池的瞭解,本文將對鋰電池保護板的使用方法,以及鋰電池保護板的選購要點加以介紹。如果你對鋰電池,抑或是鋰電池保護板相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、鋰電池保護板使用方法 鋰電池保護板根據使用IC,電壓等不同而電路及參數有所不同,下面以DW01配MOS管8205A進行講解: 1.鋰電池保護板其正常工作過程為:當電芯電壓在2.5V至4.3V之間時,DW01的第1腳、第3腳均輸出高電平(等於供電電壓),第二腳電壓為0V。此時DW01的第1腳、第3腳電壓將分別加到8205A的第5、4腳,8205A內的兩個電子開關因其G極接到來自DW01的電壓,故均處於導通狀態,即兩個電子開關均處於開狀態。此時電芯的負極與保護板的P-端相當於直接連通,保護板有電壓輸出。 2.保護板過放電保護控制原理:當電芯通過外接的負載進行放電時,電芯的電壓將慢慢降低,同時DW01內部將通過R1電阻實時監測電芯電壓,當電芯電壓下降到約2.3V時DW01將認為電芯電壓已處於過放電電壓狀態,便立即斷開第1腳的輸出電壓,使第1腳電壓變為0V,8205A內的開關管因第5腳無電壓而關閉。 此時電芯的B-與保護板的P-之間處於斷開狀態。即電芯的放電迴路被切斷,電芯將停止放電。保護板處於過放電狀態並一直保持。等到保護板的P與P-間接上充電電壓後,DW01經B-檢測到充電電壓後便立即停止過放電狀態,重新在第1腳輸出高電壓,使8205A內的過放電控制管導通,即電芯的B-與保護板的P-又重新接上,電芯經充電器直接充電。 3.鋰電池保護板過充電保護控制原理:當電池通過充電器正常充電時,隨着充電時間的增加,電芯的電壓將越來越高,當電芯電壓升高到4.4V時,DW01將認為電芯電壓已處於過充電電壓狀態,便立即斷開第3腳的輸出電壓,使第3腳電壓變為0V,8205A內的開關管因第4腳無電壓而關閉。此時電芯的B-與保護板的P-之間處於斷開狀態。即電芯的充電迴路被切斷,電芯將停止充電。 保護板處於過充電狀態並一直保持。等到保護板的P與P-間接上放電負載後,因此時雖然過充電控制開關管關閉,但其內部的二極管正方向與放電迴路的方向相同,故放電迴路可以進行放電,當電芯的電壓被放到低於4.3V時,DW01停止過充電保護狀態重新在第3腳輸出高電壓,使8205A內的過充電控制管導通,即電芯的B-與保護板P-又重新接上,電芯又能進行正常的充放電。 4.短路保護控制過程:短路保護是過電流保護的一種極限形式,其控制過程及原理與過電流保護一樣,短路只是在相當於在PP-間加上一個阻值小的電阻(約為0Ω)使保護板的負載電流瞬時達到10A以上,保護板立即進行過電流保護。 鋰電池保護板,其作用就是防止鋰電池充電過充或過放而起到相應的保護作用的。有保護板就能很好的保護電池本身,沒有的話,一是鋰電池本身容易受損,二是有安全危險,這可不是開玩笑的哦。當然,不採用保護板的,因為內阻小了,使用時間可能會長一點點,價格也便宜點,但個人覺得,還是安全第一。 二、鋰電池保護板選購要點 為了保護鋰電池組壽命,建議任何時候電池充電電壓都不要超過3.6v,就是鋰電池保護板保護電壓不高於3.6v,均衡電壓建議3.4v-3.5v,電池放電保護電壓一般2.5v以上就可以。 充電器建議最高電壓為3.5串數,自放電越大,均衡需要時間越長,自放電過大的電芯已經很難均衡,需要剔除。所以挑選鋰電池保護板的時候,儘量挑選3.6v過壓保護的,3.5v左右啓動均衡的。 總之鋰電池保護板的內阻越低越好,越低越不發熱。保護板限流大小是靠康銅絲取樣電阻決定的,但持續電流能力是mos決定的。 以上便是此次小編帶來的“鋰電池”相關內容,通過本文,希望大家對鋰電池保護板的使用方法以及鋰電池保護板的選購要點具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-15 關鍵詞: 鋰電池 鋰電池保護板 指數

  • 電容器如何檢測?大佬教你檢測三類電容器!

    電容器如何檢測?大佬教你檢測三類電容器!

    檢測技術在各行各業中均佔據重要地位,通過檢測,我們能夠一定程度上保證產品質量。在本文中,小編將詳細介紹電容器檢測技術,主要包括三方面:1.可變電容器檢測、2.電解電容器檢測、3.固定電容器檢測。如果你對檢測技術,抑或是電容器檢測具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、可變電容器的檢測 A用手輕輕旋動轉軸,應感覺十分平滑,不應感覺有時松時緊甚至有卡滯現象。將載軸向前、後、上、下、左、右等各個方向推動時,轉軸不應有鬆動的現象。 B用一隻手旋動轉軸,另一隻手輕摸動片組的外緣,不應感覺有任何鬆脱現象。轉軸與動片之間接觸不良的可變電容器,是不能再繼續使用的。 C將萬用表置於R&TImes;10k擋,一隻手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端,另一隻手將轉軸緩緩旋動幾個來回,萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中,如果指針有時指向零,説明動片和定片之間存在短路點;如果碰到某一角度,萬用表讀數不為無窮大而是出現一定阻值,説明可變電容器動片與定片之間存在漏電現象。 二、固定電容器的檢測 A檢測10pF以下的小電容因10pF以下的固定電容器容量太小,用萬用表進行測量,只能定性的檢查其是否有漏電,內部短路或擊穿現象。測量時,可選用萬用表R&TImes;10k擋,用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳,阻值應為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動)為零,則説明電容漏電損壞或內部擊穿。 B檢測10PF~0.01μF固定電容器是否有充電現象,進而判斷其好壞。萬用表選用R&TImes;1k擋。兩隻三極管的β值均為100以上,且穿透電流可選用3DG6等型號硅三極管組成複合管。萬用表的紅和黑表筆分別與複合管的發射極e和集電極c相接。由於複合三極管的放大作用,把被測電容的充放電過程予以放大,使萬用表指針擺幅度加大,從而便於觀察。應注意的是:在測試操作時,特別是在測較小容量的電容時,要反覆調換被測電容引腳接觸A、B兩點,才能明顯地看到萬用表指針的擺動。 C對於0.01μF以上的固定電容,可用萬用表的R&TImes;10k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內部短路或漏電,並可根據指針向右擺動的幅度大小估計出電容器的容量。 三、電解電容器的檢測 A因為電解電容的容量較一般固定電容大得多,所以,測量時,應針對不同容量選用合適的量程。根據經驗,一般情況下,1~47μF間的電容,可用R×1k擋測量,大於47μF的電容可用R×100擋測量。 B將萬用表紅表筆接負極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬間,萬用表指針即向右偏轉較大偏度(對於同一電阻擋,容量越大,擺幅越大),接着逐漸向左迴轉,直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻,此值略大於反向漏電阻。實際使用經驗表明,電解電容的漏電阻一般應在幾百kΩ以上,否則,將不能正常工作。在測試中,若正向、反向均無充電的現象,即錶針不動,則説明容量消失或內部斷路;如果所測阻值很小或為零,説明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。 C對於正、負極標誌不明的電解電容器,可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻,記住其大小,然後交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表筆接的是正極,紅表筆接的是負極。 D使用萬用表電阻擋,採用給電解電容進行正、反向充電的方法,根據指針向右擺動幅度的大小,可估測出電解電容的容量。 以上便是此次小編帶來的“檢測”相關內容,通過本文,希望大家對可變電容器檢測、電解電容器檢測以及固定電容器檢測具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 檢測 電容器 指數

  • 電纜電氣性能如何檢測?電纜機械性能如何檢測?

    電纜電氣性能如何檢測?電纜機械性能如何檢測?

    檢測技術的存在,為產品質量提供了一定保障。通過檢測技術,我們可以及時發現產品中存在的問題。前文中,小編對機器視覺檢測技術有所介紹。本文中,小編將對電線電纜電氣性能檢測以及電線電纜機械性能檢測予以闡述。如果你對檢測技術具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、電線電纜電氣性能檢測 電線電纜的電氣性能佔了很大一部分,其好壞直接影響到電纜的使用。主要分為直流電阻檢測、電壓實驗和絕緣電阻檢測。 1、直流電阻檢測 直流電阻檢測是根據電阻定律進行測試,即R=ρL/S,其中ρ為電阻率,L為導體的長度,S為導體截面積。 測試方法:測量直流電阻採用單臂直流電橋或雙臂直流電橋。測量範圍:雙臂電橋測1Ω及以下,單臂或雙臂電橋測1Ω~99.9Ω,單臂電橋測100Ω以下。 20℃標準直流電阻的換算:R20=1000Rx/[1+α(t-20]L,其中R20為20℃/km的直流電阻,Rx為實測值,α為電阻温度係數,L為試樣的測量長度。在進行電阻測試時需要注意以下事項:測試環境的温度變化不大於±1℃,測試環境温度時温度計離地面至少1m,且離試樣不超過1m,測量時電流密度的適當選擇,一般鋁芯不大於0.5A/mm²,銅芯不大於1A/mm²。 2、電壓實驗 電線電纜的的絕緣強度取決於其絕緣結構與絕緣材料承受電場作用而不發生擊穿破壞的能力。為保證電線電纜的安全工作,一般要進行電壓實驗。電壓實驗:在特定條件下對產品施加一定的電壓,在一定測試時間是否發生電擊穿為判斷試樣是否符合標準。實驗時的電壓和時間,可根據不同的產品進行選擇。在做電壓實驗時,需要注意的是,實驗區有金屬接地護欄,有完整的應急防護措施,試驗區內有接地極,接地電阻應小於4Ω。 3、絕緣電阻檢測 絕緣電阻是電線電纜產品絕緣特性的重要指標,它反應了產品承受電擊穿或熱擊穿的能力,同時也反應了絕緣材料在工作狀態下的耐損耗的能力。我們常説的絕緣電阻是指絕緣上所施加的直流電壓U與泄漏電流Ig的比值,即Ri=U/Ig,比較常用的測試方法主要有:直流比較法和電壓電流法。在試驗中可選擇ZC-90型絕緣電阻測試儀等試驗設備,其試樣有效長度、試驗環境和試驗電壓應按相關標準執行。最終試驗結果的計算:RL=RX·L,其中RL為每千米長度絕緣電阻,RX為試樣絕緣電阻,L為試樣有效測量長度。 二、電線電纜機械性能檢測 電線電纜根據生產、運輸和使用的要求,應具有一定的機械性能,主要有機械強度試驗、彎曲性能試驗、扭曲性能試驗和捲曲性能試驗。 1、機械強度試驗 電纜抵抗外力的作用而不被破壞的能力叫作機械強度。機械強度要求主要是抗拉強度和伸長率。具體的檢測方法根據抗拉強度公式:δ=Fm/S和斷裂伸長率公式:γ=(L1-L0)/L0×100%。電纜常做機械強度試驗有:銅絲、鋁絲的強度與伸率,絕緣、護套材料老化前後的強度與伸率。 2、彎曲性能試驗 電線電纜在生產和使用過程中受到的彎曲應力,將直接影響到產品的質量和壽命。彎曲性能的好壞,取決於產品的彎曲次數,即材料試樣在彎曲試驗機上連續、均勻、反覆彎曲,直到折斷的前一次的總次數。 3、扭曲性能試驗 扭轉試驗是確定金屬線材在扭轉作用下的塑性變形和判斷金屬組織是否均勻和有缺陷的重要手段。扭曲試驗可根據斷裂前的扭轉次數來判斷線材是否滿足使用要求。 4、卷繞性能實驗 電線電纜產品標準中規定金屬線材應具有良好的卷繞性能。卷繞試驗方法就是將試件圍繞規定直徑的試棒卷繞規定的圈數,觀察其表面的變化。 以上便是此次小編帶來的“檢測”相關內容,通過本文,希望大家對電線電纜電氣性能檢測以及電線電纜機械性能檢測具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 檢測 電纜 指數

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