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  • 重磅!集成電路正式成為一級學科!

    據媒體報道,國務院學位委員會及教育部發布文件顯示,將“集成電路科學與工程”和“國家安全學”列入一級學科內。 據瞭解,這是相隔了將近十年的重大調整, 標誌着國家對集成電路的高度重視。 END 版權歸原作者所有,如有侵權,請聯繫刪除。 ▍ 推薦閲讀 缺芯少貨、華為跌落……2021年智能手機市場或將迎來大變化! 突發!中芯國際被移除美國金融市場 中國構建全球首個星地量子通信網! 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2021-01-14 關鍵詞: 集成電路

  • 2020年傳感器行業十大預測總結覆盤,預測成真還是無情打臉?

    本文來源:物聯傳媒 本文作者:Vior.Liu 在2020年初,我們發表了一份關於《2020年傳感器行業十大發展預測》的推文,受到來自傳感器領域的行業同仁一致好評。那麼時過近一年,在2021年初,我們就來複盤一下, 在2020年一整年裏,我們上述預測的十大發展趨勢中了幾個?未來又將如何發展? 一、智能傳感器、MEMS傳感器成為企業發展重心 預測:在結構型傳感器、固體型傳感器已經無法滿足數字化時代對於數據採集、處理等流程的高需求之時,智能傳感器、MEMS傳感器最近幾年都十分熱門,在微小型化、智能化、多功能化和網絡化的方向逐漸走向成熟。尤其是在2019年底,上海啓動打造智能傳感器產業基地,重點發展MEMS工藝,涵蓋力、光、聲、熱、磁、環境等多種類傳感器,這也標誌着未來國內將在智能傳感器、MEMS傳感器領域發力。 覆盤:根據市場研究公司Fact.MR的數據,2020年全球MEMS傳感器市場規模將達300億美元,同比增長10%。從MEMS壓力傳感器發展到現在的硅麥克風、圖像傳感器,MEMS傳感器的品類和應用場景也在不斷增加。雖然MEMS傳感器市場出貨量還是以巨頭為主,但是在2020年,眾多國產和創企也在不斷髮力,獲得不錯的融資。例如西人馬的B輪融資、飛恩微2億元的D輪融資、通用微科技超億元的B輪融資、矽睿科技的3.5億元B+輪融資、蘇州明皜傳感上億元B輪融資,以及敏芯微科創板成功上市等等。從這些企業中可以發現,國內MEMS傳感器企業不乏IDM模式的遞四方香港,而這些遞四方香港的融資輪次雖然大多數還處於早中期,但是在2020年我們可以看到國內MEMS傳感器正在逐步崛起,未來與巨頭抗衡的實力可期。 二、傳感器與集成電路融合發展將成為我國傳感器製造重要趨勢 預測:傳感器屬於集成電路的細分領域,但是區別甚大,傳感器的柔性化定製需求較大,並且研發週期較長,材料以及工藝較為複雜,大規模生產能力較弱。在未來,通過設計工具、模型表達、可測性設置以及工藝整合等途徑向集成電路靠攏,可利用MEMS和集成電路Ansys、Candence定製仿真平台的集成融合;同時,建立傳感器生產製造的IP模型,實現規模化量產;再而採用素質化測試方式,實現數模的機理轉化;通過利用這些適合國內國情的發展模式,實現傳感器從設計到製造的快速升級。 覆盤:從2020年半導體行業發展角度來看,無論是作為半導體市場份額首位的集成電路(芯片)還是不可或缺的傳感器,都已經被認定為國內電子信息科技發展的重中之重。由於國外對於技術的封鎖,相關的MEMS工藝以及集成電路製造工藝將會在自主研發上實現較大突破,雖然集成電路和傳感器的產業特點相差較大,但是集成電路作為整個電子信息產業鏈的上游將會帶動並加速傳感器設計到製造環節的國產技術替代。 三、企業細分垂直化,獨角獸和隱形冠軍逐漸浮出水面 預測:國內傳感器企業規模主要偏向中小型,在研發支出、創新能力上有限,而且獲得的政策扶持力度上也不大,深耕垂直領域的企業眾多。再加上,由於國內目前物聯網、工業4.0市場規模過於龐大,且需求碎片化,這些垂直領域的企業在市場有序化之前,對於自身業務拓展可能處於保守態度,繼續發展原有業務。 在“一口吃不了一個大胖子”的格局下,我們將會在2020年,看到更多在原有業務領域發展壯大的隱形冠軍,以及創新環境下湧現出來的獨角獸。 覆盤:從疫情期間大火的紅外傳感器遞四方香港來看,在國外傳感器進口受限的情況下,國內傳感器市場紛紛聚焦於國產替代,讓這些原本在“高進口率”的環境下努力優化自身產品水平的企業獲得了更多的關注。在疫情之後,國內傳感器企業的關注並沒有下降,從第一點國內傳感器企業獲得的融資來看,在紅外、氣體等某一領域深耕的企業,也藉此契機,展現出多年來研發的技術和產品成功,實力也獲得了市場的認可。未來,這些企業將會基於原本業務在設計到製造的IDM模式和產品品類上聚焦更長遠的發展。 四、傳感器國產率將穩步上升 預測:傳感器作為影響國內物聯網、工業4.0等產業快速發展的卡脖子技術之一,一直都是依賴國外產品。最近幾年,政策、資本都在關注傳感器的發展,同時也湧現出了一批像森霸傳感、萬訊自控這些國內傳感器優質企業,在兼具研發、設計、生產到應用的完整產業體系的情況下,傳感器國產率將會穩步前進,根據統計,在2016-2020年期間,全球傳感器市場複合增長率僅為11%,而我國傳感器產業平均複合增長率達到了30%,這也是向全世界發出了高調的信號。 覆盤:在年初疫情之前,傳感器的焦點其實並沒有正經聚焦在國產企業和產品上。以追求性能、品質的需求而放棄了對國產傳感器的注視。但是從2020年開始,西人馬傳的IDM遞四方香港崛起、賽微電子等MEMS代工企業的投產運行、鄭州傳感谷的進一步建設,同時,隨着5G時代之下電子需求旺盛,國內對MEMS傳感器的研發熱度很高,而且大多集中在國內的頂尖研究機構。清華大學、北京大學、中科院、電子26所等,還有一些海外歸國人員創下了一些MEMS傳感器企業,中國的MEMS產業生態系統也正逐步完善,從研發、開發、設計、代工、封測到應用,產業鏈已基本形成,上海、蘇州、無錫都形成了研發中心,種種跡象表明國產替代正在加速。 五、國內產業集羣格局明顯 預測:早在2017年,我國傳感器產業就已經初步形成了長三角、珠三角、東北、京津冀以及中部五大產業集羣。根據數據統計,長三角區域的傳感器上市企業佔比38%,珠三角、京津冀、東北以及中部企業佔比相當。 在工信部印發的《智能傳感器產業三年行動指南(2017-2019年)》要求中表示,“集中力量打造以上海、江蘇為重點的長三角產業集聚區”,同時,截止2020年1月,長三角地區已經聚集了50%以上的智能傳感器企業,在此大環境下,國內智能傳感器的中心無疑將落地長三角,而其他產業集羣極有可能將會根據傳感器其他細分領域進行深耕。 覆盤:從2020年傳感器產業集羣發展的角度來看,國內的動作確實不少。 2020年3月,2019年10月才揭牌的上海智能傳感器產業園,作為全上海市26個特色園區之一被重點推介,獲得總投資近160億元,31個重大項目簽約。 2020年11月,鄭州智能傳感谷耗時接近一年,耗資100億元成功落地。 2020年12月,青島打造智能傳感器產業高地,12個項目簽約落户。 2020年,我們同樣看到在蘇州、常州等長三角地區也正在積極構建和佈局智能傳感其園區,包括關鍵材料、核心芯片等等。 總的來看,就像上面的預測結果一樣,長三角地區可以説在未來將會成為國內傳感器發展最重要的地區之一。 六、CMOS圖像傳感器競爭將進入最後階段 預測:由於車載應用、機器視覺、人臉識別和安防監控等物聯網應用的迅速發展,以及智能手機多攝像頭的普及,2019年CMOS圖像傳感器進入了市場急劇擴大的階段,而作為CMOS圖像傳感器的龍頭老大,佔據50%以上市場份額的索尼主動承認自家產能不足。 在索尼產能不足的情況下,CMOS圖像傳感器的另外兩家巨頭,三星和豪威科技,能不能在索尼擴建工廠之前,搶佔部分市場份額,最終形成三國鼎立的局面,將會是2020年最有看頭的大戲。 覆盤:正如預測的那樣,2020年CMOS圖像傳感器(CIS)的三大巨頭勢頭依舊強勁,在手機、汽車和工業等市場的總市場佔有率來看,索尼的市場份額依舊是第一、三星第二、豪威依舊是第三。但是,不可否認的索尼和三星的差距在2020年正在進一步縮小。根據市場研究公司Omdia的數據,在2019年第三季度,三星在全球圖像傳感器市場擁有16.7%的市場份額,與索尼的56.2%相差約40個百分點。不過,三星在2020年第二季度圖像傳感器市場的份額達21.7%,索尼市佔為42.5%,兩者之間的差距縮小了近20%。同時,SK海力士與索尼的差距也在進一步縮小。有分析師指出,其中很大的原因在於融合CIS,ISP和DRAM的封裝技術引入超高速相機是一個技術變革趨勢,對於中長期生產DRAM和CIS的公司來説是十分有利的。 2021年,我們相信CMOS圖像傳感器市場規模將會繼續延續此前的強勢的增長勢頭,同時競爭將會呈現出全面開花的局勢。索尼大法雖好,但是在新的一年承受的壓力可不小。 七、光學傳感器將成為重要創新推手,技術市場局勢明顯 預測:從消費、工業再到汽車,無一不包含了物聯網的元素,也正是得益於物聯網、機器人這些下游應用市場,光學傳感器市場也在快速增長。根據GlobalMarketInsights在2019年底發佈的數據來看,到2026年,僅在工業4.0領域,光學傳感器的銷售額將達到360億美元,更何況大批量使用傳感器的智慧城市、智慧農業等領域。 不過,需要指出的是,由於光傳感器目前主流的三種技術,結構光、主動立體視覺以及ToF,這三者的成本和技術上各有利弊,在2020年物聯網穩步發展的同時,這三種技術的市場也逐漸趨於平穩。 覆盤:2020年,哪款光學傳感器什麼最火?可能有人説是紅外傳感器,但是也可以説它是被動帶火的。如果真要從行業發展和技術應用優勢來看,這個光學傳感器只能屬於ToF傳感器。 列舉一下,僅2020年有多少大廠在玩ToF。 意法半導體推出首款64區ToF傳感器;英飛凌和PMD共同研發範圍擴大的3D ToF深度傳感器;光微科技推出國內首顆量產超小尺寸單點ToF傳感器等等,ToF傳感器市場的競爭更加激烈。 蘋果已經將ToF模塊應用於2020年初發布的iPad Pro,最新的iPhone12 Pro以及在未來的其他產品。自然,三星在2020年也進入了ToF研發的大軍。 當然在2020年之前,索尼、松下、ADI、AMS、LG、夏普等企業早早就佈局了。總結下來,不僅是2020年,這幾年和未來幾年ToF是真香。 在大廠爭相追捧下,ToF主要應用場景也逐漸明朗,除了手機攝像端,VR/AR、3D感知測距、生物識別、AI安防、自動駕駛等領域,所以ToF相較於結構光和主動立體視覺技術的發展更加明朗,市場增長想象空間更大。 八、傳感器的定製化方案更深、更廣 預測:由於功能以及應用場景等因素,傳感器本身自帶定製化特性。傳統的標準型傳感器已經無法滿足OEM的設計需求,同時也無法滿足終端用户的偏好,在2019年,我們不乏看到一些智能手機遞四方香港與索尼、三星等傳感器企業合作定製傳感器。 在物聯網等應用場景逐漸向廣度和深度拓展,更多的功能和設計細節將會出現,具有傳感器的定製方案以及柔性化生產能力的企業會在未來獲得OEM遞四方香港的青睞。 覆盤:從2020年小米、三星等手機遞四方香港在CMOS圖像傳感上的發展來看,定製化設計的傳感器已經成為主流。包括筆者在2020年對物聯網傳感器企業進行調研的時候發現,尤其是作為巨頭供應商的傳感器企業,傳感器定製化能力十分重要。所以目前一些傳感器原廠不僅具有產品出貨能力,還具備較強的傳感器定製化落地方案。在疫情影響之下,即具備出貨能力又擁有自主設計方案能力的傳感器企業業績不降反增。 九、多傳感器融合技術風頭逐步顯現 預測:為人熟知,多傳感器融合技術目前主要應用在自動駕駛和機器人領域,即使馬斯克在2019年,怒懟激光雷達又貴又雞肋,但是還是逃不脱自家超聲波傳感器、攝像頭以及毫米波雷達的組合使用。自動駕駛安全性需要傳感器的冗餘支持,以及多種傳感器協同提升容錯率,可以預見,在未來一段時間內,自動駕駛的多傳感器融合將成為市場的主流,進一步大膽預測,在可穿戴設備、健康檢測、智能家居等領域,多傳感器融合技術將會得到進一步應用和發展。 覆盤:多傳感器融合技術目前應用的最為熱門的領域就是自動駕駛,在自動駕駛概念出來之後,毫米波雷達、激光雷達、攝像頭已經成為大部分自動駕駛企業的多傳感器融合系統必備硬件,從2020來看,百度、滴滴等無人車相繼上路測試可以看出多傳感器融合技術也在成為技術主流。同時,在智能化加速和萬物互聯的時代下,這一技術未來將進一步廣泛應用於複雜工業過程控制、機器人、自動目標識別、智慧交通管制、慣性導航、海洋監視和管理、智慧農業、遙感、醫療診斷、圖像處理、模式識別等領域。 十、國際併購、收購案件增多 預測:傳感器作為一個老牌行業,一直都位於各大產業發展的最底層。所謂圈內人看門道,正是由於傳感器是最基礎的行業,其產業資源相當厚實。動輒幾十億美元美元的收購、併購可不是鬧着玩的,TE在2014年 17億美元收購MEAS,AMS在2019年46億歐元收購歐司朗、索尼1.55億收購東芝圖像傳感器部門,這些大宗收購案例都表明了大企業在數字化時代下,穩住自身的高市場份額。 在2020年,來自中國傳感器產業的大力發展,勢必將對全球傳感器企業的市場造成一定的衝擊,同時,在物聯網傳感器大量應用的當下,還沒有一家企業能夠在某個領域成為霸主。為了穩固自身市場份額,壓縮競爭對手的發展空間,更多涉足新形態領域,國際併購、收購案件將會持續增加。 覆盤:似乎每年都會有巨頭出來大手筆收購,2020年最大手筆來自於ADI, 2020年7月, ADI擬209億收購Maxim Integrated(美信),目標直指半導體老大TI(德州儀器)。 3月,TE完成了對傳感器技術公司First Sensor的公開收購。 6月,思特威收購安芯微電子,進一步加速汽車圖像傳感器業務佈局。 7月,匯頂科技收購德國圖像信號處理芯片設計公司DCT。 7月28日,北京智路資本收購西門子旗下傳感器企業Huba Control。 同屬7月,艾邁斯成功完成對歐司朗的收購。 7月,ADAS企業LeddarTech 宣佈收購傳感器融合和感知軟件公司VayaVision。 11月,光學元件及激光器製造商Lumentum收購VCSEL創新遞四方香港TriLumina部分技術資產。 12月,Luna收購OptaSense 創建世界最大的光纖傳感公司。 以上僅為不完全統計,綜上分析,可以發現在國內以及全球傳感器競爭愈發激烈、並且物聯網等應用領域逐漸明朗的情況下,巨頭們開始逐漸依靠國際收購和併購,來抵抗來自競品的挑戰建立護城河,同時彌補在物聯網等應用領域中的空白。不過目前,傳感器新的市場空間仍然處於探索階段,筆者認為這種國際收購、巨頭收購的狀態仍將持續一段時間。 總結 2020年,無論是對於國內傳感器企業還是全球傳感器格局來看,都處於悶頭苦幹的狀態。國內的傳感器企業深耕多年,在2020年國產代替的勢頭下,終於有了展示身手的機會,讓我們看到了國產傳感器在關鍵時候也能頂上去,未來的發展也是有期可待。同時國外巨頭肯定不會輕易放掉國內傳感器市場,所以在看到國內傳感器企業發展迅速的勢頭後,也在採取併購、加快核心技術研發、控制市場價格的方式進行守住市場份額。 筆者認為在2021年將會看到傳感器領域的更多好戲。那麼舞台在哪裏?物聯網就是下一個最為優質的舞台,物聯網為傳感器企業和行業打開了另外一個風口,也提供了新的戰場,誰能夠在這個戰場上突圍,未來的核心數據和市場優勢都將掌控於手,雪球將越滾越大。 ~END~ 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2021-01-13 關鍵詞: 傳感器 AI 集成電路

  • 半導體鼻祖:仙童半導體的故事

    最近工作中用到了一支BJT,在alldatasheet上面搜索時無意間看到了這個熟悉的logo,想起了很多耳熟能詳的故事,於是起了興致來寫一篇文章與大家分享,同時向半導體前輩們致敬。 在1957年世界上發生了幾個大事,李政道、楊振寧在這一年共同獲得了諾貝爾物理學獎;當時的美國總統艾森豪威爾頒佈了新民權法案;蘇聯發射了人類歷史上第一顆人造衞星;國內人民日報首次提出“大躍進”口號,即將在第二年進入大躍進。還有一件事在那一年沒有成為什麼新聞頭條,卻在接下來幾十年裏面深刻的影響了全世界,那就是有8個年齡均不到三十歲的年輕工程師創立了一家公司—仙童半導體。 我們先將時間線拉到1947年,這一年美國貝爾實驗室裏面研發出了世界上第一支半導體晶體管,堪稱20世紀最偉大的發明之一。主導該項目的就是肖克利以及巴丁和布拉頓。由於肖克利與同事們的關係並不融洽,於是在1953年他離開了貝爾實驗室,孤身一人前往他的本科母校加州理工學院。 在1955年他又搬到了加利福尼亞州山景城,準備建立肖克利半導體實驗室,將半導體晶體管商業化。建立實驗室的過程並非一帆風順,為了解決資金問題,他先後找到了大名鼎鼎的德州儀器(TI)以及洛克菲勒家族都沒有拉來投資,最後他在加州理工讀書時的好友、化學教授貝克曼伸出援手,為肖克利首期注資30萬美元,並許諾年薪3萬美元,還給他4000股貝克曼公司的股權,由他全權負責晶體管研發。實驗室最終選址加州灣區的聖克拉拉谷,也就是現在的硅谷。 硅谷 肖克利知人善任,但脾氣不好,很難與人相處,他雖然極力邀請貝爾實驗室的同事,但他們卻都不為所動。肖克利回到人才輩出的東海岸,將招聘信息以代碼形式刊登在學術期刊上,非行家裏手根本看不懂。面試之前,他要求測試應聘者智商及創造力,並進行心理評估。肖克利要求苛刻,聲稱要建一條“博士生產線”。 半導體晶體管之父:Shockley 無論怎麼説,“半導體晶體管之父”這個頭銜的號召力還是巨大的,吸引了很多才華橫溢的年輕人慕名而來,其中就有我們本文的主角,八位天才科學家。正如開頭所説他們的年齡都在30歲以下。年齡最大的尤金·克萊爾29歲,是通用電氣的製造工程師;羅伯特·諾伊斯來自菲爾科公司,MIT的博士,他一心想成為著名科學家;金·赫爾尼來自加州理工學院,分別擁有劍橋和日內瓦大學兩個博士頭銜;戈登·摩爾在約翰斯·霍普金斯大學應用物理實驗室工作;維克多·格里尼克是斯坦福研究所的研究員;其他三位—朱利葉斯·布蘭克、傑伊·拉斯特和謝爾頓·羅伯茨也都才華橫溢。肖克利無疑是點燃八位英才共同理想的盜火者,硅谷之火一觸即發。 左至右:摩爾、羅伯茨、克萊爾、諾伊斯、格里尼克、布蘭克、赫爾尼和拉斯特。 按照正常邏輯,擁有這麼多大神級別的人物,肖克利實驗室一定會成為世界級的偉大公司,然而並沒有。1956年聖誕節前夕肖克利榮獲當年的諾貝爾物理學獎,這多多少少讓他有一點恃才傲物。肖克利指定的戰略是 研發擴散法摻雜工藝的硅管 ,現在看這是完全沒有問題的,硅管比鍺管耐温高、穩定性高,擴散法摻雜工藝比其他方式的生產速度更快。如果按照這個既定方針執行,成功指日可待。但是後來肖克利認為價格才是取勝關鍵,並要求成本控制在5美分以下,這在當時根本不可能,直到1980年晶體管也無法達到這個價格水平。這也致使其實驗室成立一年多並沒有研發出來,肖克利固執己見、專權跋扈沒有回頭,而是親自操刀轉向研發四層半導體材料的“肖克利二極管”,其他人集中精力做基礎研究。 這樣的現實情況讓其手下的年輕人有些接受不了了,不願意將生命中最富激情與創造力的青春浪費在肖克利公司裏做基礎研究。於是追隨肖克利十八個月後其手下八個年輕人準備私底下集體叛逃,另起爐灶。他們中的克萊爾給紐約海登斯通投資銀行寫了一封投資計劃書,信中寫道:“ 我們是一個經驗豐富、技能多樣的團隊,我們精通物理、化學、冶金、機械、電子等領域。我們能在資金到位後三個月內開展半導體業務。 ”這封信被轉交到當時還在海登斯通投資銀行做銀行職員的阿瑟·洛克(後被稱天使投資之父)手上,他敏鋭的覺察到了半導體行業的光明前景。於是説服老闆巴德·科伊爾,一起飛到硅谷與這幫年輕人碰面。 投資教父:Arthur Rock 這幾人裏面最有領導力的無疑是諾伊斯,諾伊斯學識淵博、為人友善、而且魅力十足,同時也是最崇拜肖克利的。其在加入肖克利實驗室以後不久就發現了半導體的隧道反應,但是被肖克利否決了。第二年日本的江崎玲於奈發表了類似的研究成果(後於1973年因此獲得了諾貝爾獎)。因此如果不是肖克利可能現在的隧道二極管就不叫“江崎二極管”而叫“諾伊斯二極管”了。類似的事情還有很多,這也使得諾伊斯心灰意冷,在其他七個人的勸説下決定一起“叛逃”。 Robert Noyce 1957年9月18日(《紐約時報》稱這一天為人類歷史上10個最重要的日子之一),"八叛徒"集體向肖克利提出辭呈,肖克利暴跳如雷,怒斥他們為:Traitorous Eight!(八叛徒)。這種行為在他看來簡直就是欺師滅祖,因為除了諾伊斯以外,其他人都在他的指導下學習了核心晶體管技術,如今他們要利用這些技術自立門户。 “八叛徒”在和肖克利攤牌後,洛克、科伊爾又找來了費爾·柴爾德攝影器材公司的老闆謝爾曼·費爾柴爾德,因為其父親曾資助IBM的創辦,所以他繼承了大量IBM的股票,很有錢,同時也對技術十分感興趣,還是一位發明家。三人最終決定拿出138萬美元的風險投資,硅谷第一家由風險投資創立的半導體公司Fairchild(仙童)正式成立。費爾柴爾德的那筆投資有個協議:作為回報條件,費爾柴爾德擁有對仙童的決策權,並有權在8年內以300萬美金收購所有股份。這為後面“八叛徒”陸續叛逃又埋下了伏筆。 接下來的一切就比想象中順利多了,仙童通過我們上一段提到的關係拿到了IBM的第一筆訂單,並順利交付,賺得了第一桶金。這也使其在半導體領域站穩了腳。並且憑藉其技術優勢,後來成為了當時半導體行業的第二大巨頭,第一是靠石油儀器起家的德州儀器。那個時候的仙童可謂是人才興旺,風光無限。諾伊斯等人發明的集成電路把仙童公司帶入了它的黃金時期,同時,全球也開始進入了集成電路時代。 1960年的仙童已經名聲遠揚,費爾·柴爾德決定以當年協議規定的300萬美元收購所有股權,這使得“八叛逃”的工作積極性很受打擊。於是人心思變,開始陸續新的叛逃。先是拉斯特、赫爾尼和羅伯茨三人創辦了 Amelco,後來克萊納出走創辦了Edex,後來又創辦了Intersil……最後“八叛逆”之首的諾伊斯和摩爾帶着格魯夫也離開了仙童創立了現在大名鼎鼎的因特爾。還有很多我們耳熟能詳的公司比如AMD、國半等等也是那個時期由仙童的員工出走建立的。正如喬布斯所比喻的那樣:“仙童半導體公司就像個成熟了的蒲公英,你一吹它,這種創業精神的種子就隨風四處飄揚了。” 摩爾、諾伊斯、格魯夫創立因特爾 這裏提一下摩爾,他在1964年以三頁紙的短小篇幅發表新定律,他預測集成電路上可容納的晶體管數目每隔24個月(1975年改為18個月)會增加一倍,性能也將提升一倍,十年內會持續保持這種增長勢頭。“摩爾定律”後來被稱為“IT產業第一定律”。 雖然仙童始終沒有成為像 IBM、GE、AT&T 這樣的“巨無霸”公司,但是他把他的種子撒遍了整個半導體行業,整個半導體行業都被他的子子孫孫控制着。有一個非常戲劇性的事件是,1969年硅谷的一次半導體峯會上,400多名參會者只有24名不是仙童的前僱員,簡直驚呆了,大家齊聚一堂,其樂融融,無一不感謝老東家仙童為硅谷帶來一片繁榮。 可以説,仙童半導體就是當年硅谷乃至全世界半導體人才的西點軍校。在人才不斷流失,競爭對手不斷湧現的情況下,仙童走下坡路肯定是不可避免的。從1965年到1968年,仙童半導體銷售額不斷下滑。1967年,仙童半導體遭遇創立以來第一次虧損—760萬美元,股票從一年前的3美元每股下滑至0.5美元,市值縮水一半。後來的故事就沒什麼好説的了,無非是風雨飄搖,被賣來賣去。 1979年,仙童半導體被賣給法國一家石油企業,斯倫貝謝(Schlumberger)公司。(熟悉我的朋友可能知道我之前從事的是石油探測領域測井傳感器的研發工作,比較巧合的是我當時所在單位做的儀器主要就是與斯倫貝謝的儀器競爭,所以對這家公司很熟悉,他們的設備我也接觸過很多。) 1987年,斯倫貝謝公司以原價的三分之一將仙童半導體轉賣給另一家美國公司—國家半導體公司。諷刺的是,這家公司的老闆正是當年從仙童出走的總經理查爾斯·斯波克。後來仙童的品牌一度不復存在。1996年,國半公司把原仙童總部搬離硅谷,再次恢復“仙童半導體”名字。 2016年,安森美半導體以24億美元完成了對仙童的收購,現在打開仙童的官網會直接跳到了安森美。曾經叱吒風雲的傳奇到此不復存在。 到這裏仙童半導體的故事就講完了,可謂是一部仙童史半個半導體史。今天把這些故事分享給大家,希望對大家有所裨益,希望我們也能像“八叛逆”一樣不斷學習、做到卓越,有朝一日創立屬於我們自己的事業。 文章來源:今日頭條 作者:HACK實驗室 //www.toutiao.com/i6820679868812886532/ END 版權歸原作者所有,如有侵權,請聯繫刪除。 ▍ 推薦閲讀 成功為華為“續命:中國芯片之父張汝京 一個工程師的“噩夢”:剛分清CPU和GPU,卻發現還有…… 這位“華為天才少年”,竟然要我用“充電寶”打《只狼》 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-28 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 中芯國際正式被列入實體清單,10nm及以下涼了

    編排 | strongerHuang 微信公眾號 | 嵌入式專欄 就在大家還在爭論蔣尚義、梁孟松的時候,美國又來對中芯國際插了一腳。 1、中芯國際被列入實體名單 美國時間2020年12月18日,美國商務部官方網站發佈消息:正式將中芯國際(SMIC)列入實體清單,限制其對美國技術和設備的使用。 這次禁令重點強調的是:10nm及更先進工藝相關技術,嚴格禁止提供給中芯國際。 與華為類似,被列入“實體清單”的中芯國際如果想再使用美國技術,或者包含美國技術的設備,必須首先獲得美國頒發的出口許可才行。 美國商務部表示,因為中國正在推行軍民融合策略,而且有證據表明中芯國際與中國軍方實體有關聯,而美國不會允許美國技術被用於支持日益強大的對手強化其軍事力量,此舉是為了保護美國國家安全。。。  2、發展歷程 今年10月 ,中芯國際確認美國商務部工業與安全局已根據美國出口管制條例,向其部分供貨商發出信函,對於向中芯國際出口的部分美國設備、配件及原物料,會受到美國出口管制規定的進一步限制,須事前申請出口許可證才能繼續供貨。 11月底 ,有報道稱,美國計劃將中芯國際列入“軍事最終用户”名單。 前不久 ,有知情人士透露,美國計劃將數十家中國企業列入貿易黑名單,其中就包括中芯國際。 12月18日, 正式列入被限制實體名單。 3、迴應 12月18日下午,中國外交部發言人汪文斌主持例行記者會上,有記者提問:美國或再將80家中國企業列入“黑名單”。中方對此有何評論? 發言人汪文斌表示,如果你説的消息屬實,這將是美國動用國家力量打壓中國企業的又一力證,中方對此堅決反對。 汪文斌指出:美方將經貿問題政治化,違背其一貫標榜的市場經濟和公平競爭原則,違反國際貿易規則,不僅損害中國企業的合法權益,也不符合美國企業的利益,將嚴重干擾兩國乃至全球正常的科技交流和貿易往來,對全球產業鏈、供應鏈、價值鏈造成破壞。 汪文斌表示:我們敦促美方停止無理打壓外國企業的錯誤行為,中方將繼續採取必要措施,維護中國企業的正當權益。 對此,中國在12月份也正式實施了《出口管制法》。 但截止發文之前,中芯國際尚未作出迴應。 4、另一番解讀 有媒體做了一番解讀: 免責聲明:本文部分素材來源網絡,版權歸原作者所有。如涉及作品版權問題,請與我聯繫刪除。 ------------ END ------------ 關注

    時間:2020-12-27 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 電子、通信十大定律

    編排 | strongerHuang 微信公眾號 | 嵌入式專欄 萬物都會遵循一定規律,電子芯片這些也不列外。 1、摩爾定律 當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。 戈登·摩爾 2、梅特卡夫定律 1993年,喬治·吉爾德提出梅特卡夫定律:一個網絡的價值等於該網絡內的節點數的平方,而且該網絡的價值與聯網的用户數的平方成正比。 該定律表明,一個網絡的用户數目越多,那麼整個網絡和該網絡內的每台計算機的價值也就越大。 用公式再來説明一下: 網絡設備之間可能連接數 網絡可能連接數C可以表示為: C = n(n-1)/2 (1) 網絡的經濟價值V表示為: V=C2 (2) 互聯性驅動經濟價值,這就能明白萬物互聯對運營商等企業的價值了。 3、吉爾德定律 最為成功的商業運作模式是價格最低的資源將會被儘可能的消耗,以此來保存最昂貴的資源。 4、庫梅定律 單位運算的電耗量,每一年半就降低一半,從計算機誕生開始,都會持續下去。 21世紀,摩爾定律和庫梅定律具有同等重要的地位。 庫梅定律 vs 摩爾定律 物聯網的基礎是數據,如何採集世界的數據? 其中一個解決方案是利用庫梅定律,建立遍佈於世界的傳感器網絡,和計算機進行連接,建立自動化獲得世界信息的範式,更好地收集世界的數據。 我們要建立大思維,正如我們的五官等感官都在收集信息供給我們處理,你的大腦會不斷比較,從而建立一個關於世界的圖景。 1998年,嘉卡伯·尼爾森(Jakob Nielsen)提出互聯網寬帶的尼爾森定律: 6、庫帕定律 無線網絡容量每30個月增加一倍。 庫帕大哥大的發明者,被稱為移動電話之父。 馬丁·庫帕 菲爾·埃德霍爾姆(Phil Edholm)提出Edholm帶寬定律: 在未來,無線網絡的傳輸效率會和有線網絡的傳輸效率逐漸趨同,無線網絡和有線網絡相互融合,是通信技術發展到一定階段後必然會有的結果。 8、巴爾特定律 從一根光纖中導出的數據量,每9個月就會翻一倍,這也意味着在光纖網絡中,數據傳輸成本每9個月的時間就會下降一半。 9、香農定律 如果把網絡帶寬比喻為車道寬度,那麼網速就好比汽車在車道上行駛的速度;汽車在車道上行駛得快或者不快,要受限於車道寬度的大小,車道上正有多少輛汽車在行駛等諸多幹擾性因素。 香農定律的數學公式 墨菲定律是一種心理學效應,由愛德華·墨菲(Edward A. Murphy)提出: 推薦閲讀: 精選彙總 | 專欄 | 目錄 | 搜索 精選彙總 | ARM、Cortex-M 精選彙總 | ST工具、下載編程工具 微信公眾號『嵌入式專欄』,底部菜單查看更多內容,回覆“加羣”按規則加入技術交流羣。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-25 關鍵詞: 通信技術 集成電路

  • 深康佳A擬設立重慶康芯半導體產業基金,規模不超過20億元

    深康佳A公告稱,公司為加快在半導體、集成電路等產業的戰略佈局,公司全資子公司康佳投控公司、全資孫公司康佳資本公司擬與兩山產投公司、康山投資公司等合作方共同發起設立重慶康芯半導體產業股權投資基金,本基金規模不超過20億元,其中康佳投控公司和康佳資本公司擬合計認繳出資不超過10億元。 公告稱,本基金存續期為7年,其中,康佳投控公司和兩山產投公司為有限合夥人,康山投資公司為普通合夥人和執行事務合夥人,康佳資公司為普通合夥人、基金管理人及執行事務合夥人。 據悉,該基金實繳資金的75%將投資於重慶市璧山區域。同時,基金總規模的80%應投資於與深康佳A業務相關的產業。對此,深康佳A表示,擬發起成立的重慶康芯半導體產業股權投資基金將重點投資半導體、集成電路等與本公司產業發展相關的產業,有利於加快本公司半導體業務發展,投資產業方向符合本公司戰略佈局。 同時,公告稱,該基金以股權投資為主,現階段並不涉及與公司的同業競爭。深康佳A表示,公司不對基金形成控制且不會將基金納入公司的並表範圍,預計不會對公司2020年度經營業績產生重大影響。 資料顯示,深康佳A主要從事彩色電視機、手機、白色家電、廚衞電器,淨水系列、日用生活電器、LED、機頂盒及相關產品的研發、製造和銷售,兼及精密模具、注塑件、高頻頭、印製板、變壓器及手機電池等配套業務,是中國領先的電子信息企業。 來源:OFweek維科號 投資界 作者:sybil 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-24 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 我司任命Hassane El-Khoury繼任首席執行官(CEO)

    安森美半導體公司(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),宣佈Hassane El-Khoury被任命為公司總裁、首席執行官(CEO)和董事會成員,自美國時間2020年12月7日生效。 董事會主席Alan Campbell説:“經過全面的內部和外部搜尋過程,我歡迎Hassane加入安森美半導體。我們的搜尋重點是尋找一位經驗豐富的CEO,他了解我們行業內正在進行的變革,並擴大我們在目標長期增長市場中的領導地位,加快收入、毛利率和盈利增長,並提高利益相關者的價值。在面試過程中,Hassane以明確的領導者身份出現,為客户、合作伙伴、員工和其他利益相關者實現公司巨大的潛力。我們很高興能找到這樣一位合格的領袖。” El-Khoury説:“我認為當一家公司可以利用其員工來解決客户挑戰時是最成功的。安森美半導體已開發出廣泛的產品陣容,包括必要的硅構建基塊,賦能客户實現其目標市場的方案。我熱衷於使客户取得成功,並很高興在公司的基礎上提供涵蓋汽車、工業、雲電源和物聯網(IoT)市場的卓越系統方案,同時提高財務績效。” 在加入安森美半導體之前,El-Khoury在賽普拉斯半導體擔任總裁兼首席執行官和董事會成員,直至該公司於2020年4月出售給英飛凌。他在賽普拉斯工作的十三年間,曾出任不同職位,包括業務部門管理、產品開發、應用工程及業務發展。17歲時從黎巴嫩移民到美國後,El-Khoury獲得了勞倫斯科技大學的電氣工程學士學位和奧克蘭大學的工程管理碩士學位。他是2018年硅谷40位40歲以下人士的獲獎者,目前是KeraCel的董事會成員。 如9月份的宣佈,El-Khoury的任命與Keith Jackson(傑克信)退任安森美半導體首席執行官兼總裁以及董事會成員同時進行。傑克信先生將繼續擔任公司的顧問,直到2021年5月底,以確保領導層有效過渡到El-Khoury。 Alan Campbell説:“在Keith掌舵的近二十年中,他將安森美半導體從12億美元的標準產品供應商轉變為55億美元的全球二十大半導體公司之一。我謹代表全球員工感謝Keith對安森美半導體的領導和貢獻,並感謝他在未來幾個月對公司的重要見解,這將加強領導層的無縫交接。” 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-21 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • CMOS全解析,帶你瞭解CMOS電路中的那些事

    CMOS全解析,帶你瞭解CMOS電路中的那些事

    CMOS是生活中的常用器件,為增進大家對CMOS的瞭解程度,本文將對CMOS集成電路的測試、CMOS集成電路的保護措施、CMOS電路焊接注意事項、CMOS數字集成電路的特點等內容加以介紹。如果你對CMOS相關內容具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、CMOS電路焊接注意事項 為了避免由於靜電感應而損壞電路,焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地,焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內熱式電烙鐵和502環氧助焊劑,必要時可使用插座。 在接通電源的情況下,不應裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序,使用的工作台及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材(如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等),應在工作台上鋪放嚴格接地的細鋼絲網或銅絲網,並經常檢查接地可靠性。 二、CMOS集成電路的測試 測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應良好接地。如果是低阻信號源,應保證輸入信號不超過CMOS集成電路的電源電壓範圍(CXXX系列為7~15V,C4000系列為3~18V),既VSS≤Vi≤VDD。如果輸入信號一定要超過CMOS集成電路的電源電壓範圍,則應在輸入端加一個限流電阻,使輸入電流不超過5mA,以避免CMOS集成電路內部的保護二極管燒燬。 若信號源和CMOS集成電路用兩組電源,開機時,應先接同CMOS集成電路電源,後接通信號源電源。關機時,應先關信號源電源,後關CMOS集成電路電源。 三、CMOS集成電路的保護措施 因為CMOS集成電路輸入阻抗極高,隨機的靜電積累很可能使電路引出端任意兩端的電壓超過MOS管柵擊穿電壓,從而引起電路損壞。所以,CMOS集成電路不用時應把電路的外引線全部短路,或放在導電的屏蔽容器內,以防被靜電擊穿。 CMOS集成電路的互換。在使用中有些CMOS集成電路是可以直接換用。如國產CC4000可與國外產品CD4000、MC14000系列直接代換。 對於那些管腳排列和封裝形式完全一致,但電參數有所不同的CMOS集成電路,換用時要十分注意。如國產CC4000和CXXX中有些品種,它們的工作電壓有所差異,CC4000為3~18V、CXXX為7~15V。換用時要考慮到電源供電及負載能力問題。另外,對於那些封裝形式及管腳排列不同的CMOS集成電路,一般不能直接代換。如果需要換用,則應做一些相應的變換使兩者功能相同的引出端一一對應。 焊CMOS集成塊。先找一塊比集成塊稍大的鋁箔和一塊平整的泡沫塑料。鋁箔平放在塑料泡沫上,將CMOS集成塊垂直插入泡沫塑料後隨即拔起,使鋁箔附在集成塊上以使引腳全部短路。然後將集成塊插入線路板的規定位置,像焊其它集成塊那樣焊接,焊好後撕去鋁箔即可。 四、CMOS電路焊接注意事項 CMOS集成電路由於輸入電阻很高,因此極易接受靜電電荷。為了防止產生靜電擊穿,生產CMOS時,在輸入端都要加上標準保護電路,但這並不能保證絕對安全,因此使用CMOS集成電路時,必須採取以下預防措施。 ①存放CMOS集成電路時要屏蔽,一般放在金屬容器中,也可以用金屬箔將引腳短路。 ②CMOS集成電路可以在很寬的電源電壓範圍內提供正常的邏輯功能,但電源的上限電壓(即使是瞬態電壓)不得超過電路允許極限值、…電源的下限電壓(即使是瞬態電壓)不得低於系統工作所必需的電源電壓最低值Vmin,更不得低於VSS。 ③焊接CMOS集成電路時,一般用20W內熱式電烙鐵,而且烙鐵要有良好的接地線。也可以利用電烙鐵斷電後的餘熱快速焊接。禁止在電路通電的情況下焊接。 ④為了防止輸入端保護二極管因正向偏置而引起損壞,輸入電壓必須處在VDD 和VSS之間,即VSS ⑤調試CMOS電路時,如果信號電源和電路板用兩組電源,則剛開機時應先接通電路板電源,後開信號源電源。關機時則應先關信號源電源,後斷電路板電源。即在CMOS本身還沒有接通電源的情況下,不允許有輸入信號輸入。 ⑥ 多餘輸入端絕對不能懸空。否則不但容易受外界噪聲干擾,而且輸入電位不定,破壞了正常的邏輯關係,也消耗不少的功率。因此,應根據電路的邏輯功能需要分別情況加以處理。例如:與門和與非門的多餘輸入端應接到VDD或高電平;或門和或非門的多餘輸入端應接到VSS或低電平;如果電路的工作速度不高,不需要特別考慮功耗時,也可以將多餘的輸入端和使用端並聯。如上圖所示。 以上所説的多餘輸入端,包括沒有被使用但已接通電源的CMOS電路所有輸入端。例如,一片集成電路上有4個與門,電路中只用其中一個,其它三個門的所有輸入端必須按多餘輸入端處理。 ⑦輸入端連接長線時,由於分佈電容和分佈電感的影響,容易構成LC振盪,可能使輸入保護二極管損壞,因此必須在輸入端串接一個10~20kΩ的保護電阻R,如上圖所示。 ⑧CMOS電路裝在印刷電路板上時,印刷電路板上總有輸入端,當電路從機器中拔出時,輸入端必然出現懸空,所以應在各輸入端上接入限流保護電阻,如圖T309所示。如果要在印刷電路板上安裝CMOS集成電路,則必須在與它有關的其它元件安裝之後再裝CMOS電路,避免CMOS器件輸入端懸空。 ⑨插拔電路板電源插頭時,應該注意先切斷電源,防止在插拔過程中燒壞CMOS的輸入端保護二極管。 五、CMOS數字集成電路的特點 1.靜態功耗低:電源電壓VDD=5V的中規模電路的靜態功耗小於100μW,從而有利於提高集成度和封裝密度,降低成本,減小電源功耗。 2.電源電壓範圍寬:4000系列CMOS電路的電源電壓範圍為3~18V,從而使選擇電源的餘地大,電源設計要求低。 3.輸入阻抗高:正常工作的CMOS集成電路,其輸入端保護二極管處於反偏狀態,直流輸入阻抗可大於100MΩ,在工作頻率較高時,應考慮輸入電容的影響。 4. 扇出能力強:在低頻工作時,一個輸出端可驅動50個以上的CMOS器件的輸入端,這主要因為CMOS器件的輸入電阻高的緣故。 5.抗干擾能力強:CMOS集成電路的電壓噪聲容限可達電源電壓的45%,而且高電平和低電平的噪聲容限值基本相等。 6.邏輯擺幅大:空載時,輸出高電平VOH>VDD-0.05V,輸出低電平VOL 7. CMOS集成電路還有較好的温度穩定性和較強的抗輻射能力。 不足之處是,一般CMOS器件的工作速度比TTL集成電路低,功耗隨工作頻率的升高而顯著增大。 六、CMOS數字集成電路使用注意事項 1.電源連接和選擇:VDD端接電源正極,VSS端接電源負極(地)。絕對不許接錯,否則器件因電流過大而損壞。對於電源電壓範圍為3V~18V系列器件。如CC4000系列,實驗中VDD通常接+5V電源,VDD電壓選在電源變化範圍的中間值,例如電源電壓在8~12V之間變化,則選擇VDD=10V較恰當。 注意:CMOS器件在不同的VDD值下工作時,其輸出阻抗、工作速度和功耗等參數都有所變化,設計中須考慮。 2.輸入端處理:多餘輸入端不能懸空。應按邏輯要求接VDD或接VSS,以免受干擾造成邏輯混亂,甚至還會損壞器件。對於工作速度要求不高,,而要求增加帶負載能力時,可把輸入端並聯使用。 對於安裝在印刷電路板上的CMOS器件,為了避免輸入端懸空,在電路板的輸入端應接入限流電阻RP和保護電阻R,當VDD=+5V時,RP取5.1KΩ,R一般取100KΩ~1MΩ。 3.輸出端處理:輸出端不允許直接接VDD或VSS,否則將導致器件損壞,除三態(TS)器件外,不允許兩個不同芯片輸出端並聯使用,但有時為了增加驅動能力,同一芯片上的輸出端可以並聯。 4.對輸入信號VI的要求:VI的高電平VIH 5.CMOS器件的輸入端和VSS之間接有保護二極管,除了電平變換器等一些接口電路外,輸入端和正電源VDD之間也接有保護二極管,因此,在正常運轉和焊接CMOS器件時,一般不會因感應電荷而損壞器件。但是,在使用CMOS數字集成電路時,輸入信號的低電平不能低於(VSS-0.5V),除某些接口電路外,輸入信號的高電平不得高於(VDD+0.5V),否則可能引起保護二極管導通,甚至損壞進而可能使輸入級損壞。 以上便是此次小編帶來的“CMOS”相關內容,通過本文,希望大家對上文介紹的CMOS知識具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2020-12-21 關鍵詞: 指數 CMOS 集成電路

  • 中國台灣6.7級地震未影響半導體生產

    昨晚中國台灣出現了6.7級地震,整個島嶼都有明顯震感,不過地震並沒有帶來人員傷亡。此外,之前擔心的地震影響半導體產能的風險也已經排除,台積電、美光等CPU代工、內存生產未受影響。 這次地震位於台灣東部海域,台灣DRAM產業多集中在北部與中部,地震後各廠都陸續進行停機檢查,經確認各廠皆未發現重大機台損害,因此生產方面仍正常運行,並未造成實際重大產能流失。 晶圓代工方面,台積電、聯電、世界先進等主要代工廠也在事後做了停機檢查,已經確認沒有什麼影響,生產還會繼續,目前代工產能依然是供不應求。 儘管地震導致的生產中斷風險現在可以排除,但是當前的半導體市場依然存在很多變數,一方面是晶圓代工產能吃緊,頻傳漲價消息,而內存價格今年還是在跌,但前不久美光的工廠出現了跳電事故,儘管也沒有明顯影響,但內存市場的風向已經變了,最快明年Q1季度就會止跌回升。 來源:OFweek維科號 快科技 作者:憲瑞 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-20 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • ADI加大中國市場投資,成立亞德諾半導體(中國)有限公司

    ADI公司今日宣佈加大對中國市場的投資,將亞德諾半導體技術(上海)有限公司升級為亞德諾半導體(中國)有限公司,作為ADI在中國投資運營的總部型機構,這也是ADI在中國市場實施本土化戰略的重要舉措。 此次升級後,ADI中國將擁有從需求調研、產品定義、研發、市場銷售與運營的全方面能力。新公司將針對中國市場,開發本地自主決策的產品,並提供靈活的人民幣支付結算模式,未來還規劃在中國設立物流倉儲中心,並逐步完善本地供應鏈與生產合作體系,提升對中國客户的支持力度 。 ADI與上海黃浦區簽署戰略合作備忘錄 宣佈亞德諾半導體(中國)有限公司落地 根據戰略合作備忘錄,亞德諾半導體(中國)有限公司將落地上海黃浦,與當地在科研項目、生態建設、行業交流等各方面展開積極合作。 隨着中國產業升級,邁向數字化,中國市場在全球扮演着重要角色,雙循環與新基建等國家戰略的實施,為中國產業帶來前所未有的發展機遇。ADI中國區總裁範建人先生表示:“亞德諾半導體(中國)有限公司成立後,將擁有更多的本地決策能力,決定產品與技術的投資方向,敏捷地響應本地市場的創新需求,原ADI中國研發中心相應升級為ADI中國產品事業部,其角色從支持全球研發,轉向為中國市場量身開發定製產品。這將使ADI中國更好地融入本地產業生態,為中國客户服務。 ” 黃浦區委書記杲雲表示:“ 亞德諾半導體(中國)有限公司落户黃浦區將充分發揮龍頭型、總部型企業的引領帶動作用,吸引集成電路行業重點企業匯聚,促進上下游企業集結,帶動全產業鏈均衡發展,進一步提高上海集成電路設計領域的核心競爭力,加快市區兩級科技創新生態體系建設,促進產業升級和經濟長期快速發展。” 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-18 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 魏少軍:中國半導體如何抓住機遇,實現跨越(附完整PPT)

    在今日於重慶舉辦的中國集成電路設計2020年會暨重慶集成電路創新發展高峯論壇上,中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍博士發表了題為 《抓住機遇,實現跨越》 的演講,在開始前,我們先對魏教授的演講內容做個總結: 2020年中國芯片設計企業達2218家; 長江三角洲的增速和銷售最大,深圳、上海、北京繼續把持前三位; 2020年預計有289家企業銷售額超1億元人民幣; 產業集中度情況仍沒有改善; 2020年8家芯片設計企業在主板和科創板上市,募集資金額達98.5億元人民幣; 我國高端芯片取得長足發展,生態環境不斷改善,研發水平持續提升; 挑戰依然嚴峻:“需求旺盛、供給不足”、產業長期可持續發展的根基不牢、產品創新/研發投入嚴重不足,人才短缺嚴重; 集成電路產業不是露在地面的金礦,需要長期的耕耘,也需要包括資本在內的不斷澆水呵護; 沉下心來再幹10年,中國集成電路設計業一定能夠取得豐碩的成果; 我們在慶祝今年取得成績的同時,更要保持清醒的頭腦和旺盛的鬥志,抓住機遇,實現跨越 以下是魏博士發言PPT: 來源:ICCAD年會微信公眾號 版權歸原作者所有,如有侵權,請聯繫刪除。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-14 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 500億元!中芯國際超級項目啓動!

    出品 21ic中國電子網 付斌整理 網站:21ic.com 中芯國際作為中國芯近期被關注最多的公司之一,三番五次被美國打壓。不過最近中芯國際持續加大投入,聯合亦莊國際投資和國家集成電路產業投資基金投資500億元建廠,振奮了行業的決心。 據企查查信息顯示,日前中芯國際正式成立了中芯京城集成電路製造(北京)有限公司,這個企業就是12月4日中芯國際公告的50億美金投資的公司。 當時的公告稱中芯控股、國家集成電路基金II和亦莊國投將共同成立合資企業,註冊資本50億美元,準備投資76億美元,大概摺合500億人民幣鉅額資金生產12寸集成電路晶圓及集成電路封裝系列等。 信息顯示,中芯京城集成電路製造(北京)有限公司成立於12月7日,法定代表人為姜鐳,註冊資本為500000萬(50億)美元。股東方面,第一大股東為中芯國際控股有限公司,持股比例51%;北京亦莊國際投資發展有限公司為第二大股東,持股24.51%;國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司為第三大股東,持股24.49%。 營業範圍主要涉及製造12英寸集成電路圓片、集成電路封裝系列,技術檢測,與集成電路有關的技術開發、技術服務、設計服務;銷售自產產品等。 公開資料顯示,國家集成電路基金II於2019年10月註冊成立,透過股權投資,主要投資於集成電路產業的價值鏈,其中以集成電路芯片生產、芯片設計、封裝測試以及設備及材料為主。 亦莊國投創立於2009年2月,為北京經濟技術開發區財政審計局全資附屬公司。作為一家就北京經濟技術開發區產業轉型升級而成立的國有投資公司,亦莊國投可提供創新金融服務以滿足當地企業發展需要。 中芯國際表示,據董事作出一切合理查詢後所深知、全悉及確信,基於本公告披露的理由及除亦莊國投於中芯北方的5.75%股權外,除國家集成電路基金II外,亦莊國投和其最終實益擁有人均為獨立於本公司和本公司關聯(連)人士的第三方。 科創板日報報道稱,中芯國際第二代FinFET已進入小量試產。去年11月消息稱,中芯國際已經啓動了14nm FinFET工藝芯片的量產,且計劃2019年年底前進行12nm FinFET的風險試產。12nm工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微,功耗降低20%、性能提升10%,錯誤率降低20%。 前不久,中芯國際被美國盯上。12月4日,美國國防部官網公示,依據修訂的《1999財政年度國防授權法》第1237條的法定要求,正式將中芯國際(SMIC)、中國建設科技集團(CCTC)、中國國際工程諮詢公司(CIECC)、中海油(CNOOC)四家中國企業加入“與軍事活動有聯繫”的企業清單。 消息發出後,中芯國際立即在其公眾號內迴應表示,被列入該名單對公司沒有重大影響,並重申公司是獨立營運的國際性企業。 在互動平台上,中芯國際也表示目前公司正常運營,公司和美國相關政府部門等進行了積極交流與溝通。公司客户需求強勁,訂單飽滿,第三季度產能利用率接近滿載。展望2020年全年,公司的收入目標上修為24%至26%的年增長。全年毛利率目標高於去年。 推薦閲讀: 安謀中國推出首款“玲瓏”ISP處理器:自主研發,賦能本土! 匡安網絡:堅持自主研發創新,築牢網絡安全之堤 青藤雲安全“四大利器”,為新基建安全保駕護航  21ic獨家“修煉寶典” | 電子必看公眾號 | 電子“設計錦囊” 添加管理員微信 你和大牛工程師之間到底差了啥? 加入技術交流羣,與高手面對面 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-14 關鍵詞: 中芯國際 集成電路

  • 歐盟17國聯合研發2nm技術,美國半導體霸主地位恐不保!

    歐盟17國聯合研發2nm技術,美國半導體霸主地位恐不保!

    據外媒報道,近日一些歐盟國家公佈了一項計劃,旨在共同合作,以提高該地區在全球半導體市場的地位,並減少對亞洲和美國進口的依賴。 日前,歐盟委員會(European Commission)召開了歐盟17個國家電信部長(大臣)的視頻會議。會後,這17個國家簽署了《歐洲處理器和半導體科技計劃聯合聲明》,宣佈將在未來2-3年內投入1450億歐元(約合人民幣1.2萬億元)的資金,以推動歐盟各國聯合研究及投資先進處理器和其他半導體技術。 該聯合聲明指出,目前歐盟的半導體技術與自身經濟地位不匹配,歐盟國家佔全球GDP的16%,但在價值4400億美元的半導體市場上,歐盟國家的份額只有10%。與此同時,受衞生事件及其他影響,歐盟也開始意識到了在關鍵的半導體技術上“自主可控”的重要性,希望“減少關鍵性外部依賴”。此外,該報告還重點提及了歐盟需要在先進處理器,以及2nm先進工藝製造上進行追趕。 (資料圖) 作為協議的一部分,各國將協調本國的研究,並同意以被視為高增長的特定領域為目標,其最終目標是“加強歐洲設計,並最終制造下一代可靠的低功耗處理器的能力”。這些處理器將應用於高速連接、自動化車輛、航空航天和國防、健康和農業食品、人工智能、數據中心、集成光子學、超級計算和量子計算。 據悉,此次共有17個國家簽署了這份聲明,其分別為比利時、德國、愛沙尼亞、希臘、西班牙、法國、克羅地亞、意大利、馬耳他、荷蘭、葡萄牙、斯洛文尼亞、芬蘭、羅馬尼亞、奧地利、斯洛伐克和塞浦路斯。 而沒有簽署這一聲明的國家是保加利亞、捷克、匈牙利、愛爾蘭、拉脱維亞、立陶宛、盧森堡、波蘭和瑞典等9個國家。 (資料圖) 事實上,除了上述歐盟國家之外,近幾年中國半導體也在加速擺脱對美依賴。而中科院一向是我國技術研發的主要陣地,獲得了多項重要的技術專利,因此在半導體技術領域,中科院自然也不會缺席。 目前,中科院已經研發出了新型垂直納米環柵晶體管,並被視為2nm及以下工藝的主要技術候選。這意味着,等該項技術成熟之後,國產2nm芯片有望成功破冰。因為這一技術可比之前三星所發佈的3nm工藝需要採用的GAA環繞柵極晶體管性能更強、功耗更低! 但遺憾的是,中科院研發的2nm芯片並不能投入量產,更不能用於手機等智能設備。其原因是我國並沒有能夠大量生產這種芯片的設備,尤其是光刻機。 不過21ic家認為,雖然眼下我們無法超越英特爾、高通等美國芯片巨頭,但隨着國家對集成電路產業扶持政策的落地,以及這幾年中國企業的奮起追趕,相信在不久的將來,中國半導體技術一定能夠取得更大的突破,站在世界之巔!

    時間:2020-12-13 關鍵詞: 半導體 芯片 光刻機 集成電路

  • 安森美半導體連續第三年被納入道瓊斯可持續發展指數

    推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),已被納入道瓊斯可持續發展指數 (DJSI) 北美指數,以表彰具有可持續發展業務實踐的公司。這是安森美半導體連續第三年被納入該指數。 道瓊斯可持續發展指數由標準普爾的道瓊斯指數公司 (Standard & Poor's Dow Jones Indices) 與總部位於瑞士的RobecoSAM公司聯合計算,以多項評選標準如公司管治、客户關係、環境政策、工作條件和社會倡議等,挑選出具有優秀可持續發展表現的公司。這些指數為那些尋求將可持續發展考慮因素納入其投資組合的投資者提供了基準。 安森美半導體道德與企業社會責任副總裁張慧貞 (Jean Chong) 説:“隨着公司的發展,我們不僅持續投資於基礎設施、規模、技術和人才,也投資於企業社會責任 (CSR)。此榮譽證明公司致力於推動我們的多元化、社會和人權、道德和可持續性計劃達到新的水平,並在半導體行業中脱穎而出。” 安森美半導體企業社會責任高級總監Theresa Haywood-McCarley説:“我們互敬互重、誠信正直和積極進取的核心價值觀指導着每個業務決策,使我們能保持客户和合作夥伴對我們的最高信任度。隨着可持續發展成為投資者的更大的關注焦點,這對我們在全球市場上是個重要的指定。對於公司而言,重要的是,我們作為個人力盡所能,通過今天的行動提升全球社區,並打造更美好的明天。” S&P Global ESG研究和數據全球主管Manjit Jus説:“我們祝賀安森美半導體被納入DJSI北美指數。DJSI榮譽體現出貴司是行業可持續發展的一個領袖。參與2020年企業可持續發展評估的公司數量創歷史新高,且今年的入選規則更嚴格,這讓貴司脱穎而出,和獎勵貴司對人類和地球的持續承諾。” 安森美半導體因致力於環境可持續運營和符合商業道德實踐的承諾而不斷獲得認可。作為負責任商業聯盟 (Responsible Business Alliance) 的正式成員之一,安森美半導體已連續五年獲Ethisphere Institute選為“世界最道德企業”之一,且於2017、2018及2019年入選《巴倫週刊》 (Barron’s) 100家“最可持續發展公司”。2019年,公司還獲全球供應鏈環境、社會和道德績效標準的領先平台EcoVadis頒發最高級別獎項金獎,並於2020年獲《世界金融雜誌》評為半導體行業最可持續的公司。 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-09 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 1.6億收購德國公司MueTec,天準科技佈局半導體設備的野心

    1.6億收購德國公司MueTec,天準科技佈局半導體設備的野心

    2020年疫情加劇了資本寒冬,但半導體行業的投資卻逆市上揚。據統計,今年前十個月國內VC/PE共投資了345個半導體項目,預計年底投資總額將超過1000億,達去年全年總額的3倍。 在國產替代、新技術需求的驅動下,國內半導體行業正處在產能加速擴張中。2017-2020年,全球正在建設和擬建設的晶圓線有62條,其中中國大陸有26條,佔比42%。預計2020年,中國大陸半導體設備銷售將達到145億美元,成為全球最大的半導體設備市場。 作為一個大而精的行業,半導體設備行業也已經呈現出高度集中的市場格局,應用材料、阿斯麥、東京電子、泛林半導體、科磊半導體2019年牢牢佔據了全球前五的位置。儘管市場的頭部效應明顯,在芯片製造、封測所涉及到的上千道加工工序中,包括晶圓檢測在內的多個細分領域仍存在新玩家入局的機會。 2020年6月22日,科創板上市公司天準科技發佈公告將以1818萬歐元(約合1.4億人民幣)的價格收購德國半導體檢測設備研發商MueTec100%股權,並受讓該公司200萬歐元債務,這也讓整個交易的價格達到2018萬歐元(約合1.6億元人民幣)。 此次收購也是科創板首個海外併購案例。據瞭解,目前交易已獲蘇州發改委和商務局的同意,雙方已經完成了24.9%的股權交割,後續獲得德國相關政府機構的審批後,雙方將交割其餘75.1%的股權。 對於天準科技來説,對MueTec的收購將幫助公司縮短進入半導體領域的週期,減少不確定性,更快地為公司形成新的業績增長點。同時,這次收購也是國內半導體設備行業加速發展的縮影。 以併購進入半導體設備行業,標的公司MueTec已進入全球市場 天準科技的主業為工業機器視覺裝備研發及應用,此次選擇以併購的方式進入半導體行業並不偶然。事實上,併購整合在整個半導體設備行業是較普遍的發展模式。回顧半導體設備企業併購史,應用材料和科磊半導體發展過程中的收購次數都在20次以上。 究其原因,行業的高壁壘屬性意味着研發上的高難度,併購成為一種迅速更新技術的途徑。同時,在市場增速放緩時,併購也成為拓展產品線、擴大市場空間的有效方式。尤其對於首次進入半導體行業的企業來説,由於在相關技術、市場方面缺乏積累,併購等外延式發展模式成為進入半導體設備領域的捷徑。 早在天準科技收購MueTec之前,顯示檢測行業的龍頭公司精測電子就先後在2018年、2019年,分別通過與半導體自動測試設備韓國IT&T共同設立中外合資公司、收購日本半導體測試設備企業WINTEST60.53%的股權的方式來進入半導體檢測設備領域。 以全球視角看,半導體設備行業的被收購標的呈現出明顯的地域特徵。廣發證券在其2018年發佈的研究報告《全球半導體設備併購史研究——以史為鏡,可以知興替》中表示,從1995年到2018年,全球半導體設備領域的併購以美國為核心,向歐洲和日本擴散。報告指出,在87次併購中有85次被收購方的國別或地區可查,其中美國有56家美國半導體設備企業或業務部門被收購,歐洲公司有16家,主要分佈在德國、瑞士和英國。美國作為半導體設備行業的先行者,毫無疑問成為併購標的集中區域,而歐洲、日本也不斷湧現優質的半導體設備企業。 此次被天準科技收購的MueTec即是一家德國企業。該公司的創始人由光學、軟件開發和機械領域的專家組成,於1991年在德國慕尼黑成立。 集成電路由於高精密、高附加值的特點,要求芯片製作過程中採用無損檢測,因此對非接觸式的光學檢測設備成為剛需。MueTec則主要針對晶圓類產品提供高精度光學檢測和測量設備,服務區域涵蓋歐洲、美國、中國台灣等半導體設備主流市場。 目前MueTec的產品包括: 1) 測量和檢測類:關鍵尺寸測量(CD Metrology),套刻測量(Overlay Metrology),瑕疵缺陷檢測,瑕疵缺陷查看,薄膜厚度測量。代表設備為Spector A,MT8000等。 2) 紅外解決方案:應用於MEMS領域,可以通過測量數據分析,修改工藝,輔助提升生產良率。代表設備為IRIS2100,IRIS8200。 3) 宏觀缺陷檢測方案:提供在光刻階段的晶圓全檢需求,代表設備為MT1000。 4) 定製方案:可提供市面上目前還沒有可用設備的檢測和測量需求定製,比如全自動的檢測設備、定製的搬運系統。 2019年科磊半導體(KLA)在全球範圍內的光學檢測設備上佔比超過50%,其餘市場則多由美國、日本、以色列以及一些歐洲國家的遞四方香港佔據。國內在該領域起步較晚。2014年,與中科院微電子研究所深入合作的中科飛測成立,國內光學檢測設備領域逐漸發展起來。 據瞭解,MueTec的產品與國內同行中科飛測對比,在設備穩定性、壽命等指標上更突出,且在國外市場有更高的認可度,不過售價更高、開發週期長;而跟國際同行以色列光學檢測設備公司CamTek對比,MueTec有更廣的產品線,以及獨立的2D測量和膜厚測量。 在基於行業、產品以及技術等多維度考量下,天準科技收購MueTec100%股權的交易價格定在了1818萬歐元,是MueTec2019年淨資產的2.50倍、2020年預計EBITDA的10.26倍。 收購MueTec,天準科技面臨的巨大行業機遇 天準科技是2019年首批成功登陸科創板的公司之一。其成立於2009年,主要基於機器視覺技術,研發生產工業視覺裝備。公司的產品包括精密測量儀器、智能檢測設備、智能製造系統、無人物流車,並提供智能檢測裝備和智能製造系統相關的軟件服務。現階段,公司的客户羣集中在消費電子、汽車製造、光伏半導體、倉儲物流行業,大客户包括蘋果、三星、富士康、欣旺達、德賽集團、博士集團、法雷奧集團、菜鳥物流等。 隨着在消費電子、汽車等領域的行業地位逐漸穩固,天準科技亟需找到新的業績增長點。而天準科技之所以能將3D視覺檢測技術率先在消費電子、汽車製造等領域落地,離不開這些領域的共同特點:客户對價格的不敏感,但對設備精度、準確度等要求高;同時,大客户集中,客單價往往達百萬級。此次被收購標的MueTec所在的半導體檢測設備領域毫無疑問符合相應條件。 其實在收購MueTec之前,天準科技已經在着手研發半導體檢測設備,對於MueTec的收購將加快公司在半導體晶圓檢測設備上的佈局。 2020上半年天準科技半導體相關在研項目情況(萬元) 迄今為止,MueTec累計設備出貨量已達數百台。其在技術、產品以及市場等多個環節已形成較成熟的經驗,將幫助天準科技快速具備服務國內半導體設備行業的能力。 在當前國內半導體設備自主化發展的大趨勢下,此次併購對於兩者都意味着廣闊的市場前景。一般來説,半導體制造設備支出佔半導體設備總支出的80%左右,MueTec所在的前道半導體檢測設備約佔半導體制造設備的13%。全球市場上,前道檢測設備2018年的市場規模約為58億美元。根據SEMI曾預測的2020、2021年國內半導體設備總支出分別為173億、166億美元,得以估算2020、2021年國內前道檢測設備的市場需求約為18億、17.3億美元。而每台晶圓檢測設備普遍在百萬美金以上的售價,也為設備遞四方香港創造了更高的收入天花板。 芯片是“國之重器”,但當下我國半導體產業多個環節的國產化程度普遍偏低。尤其是設備、材料、EDA軟件工具在內的多個上游環節,短期內難以實現自主發展。不過,正是由於現狀與需求的不匹配,價值創造的機會正在顯現。有理由相信,在需求的高增長驅動下,類似天準科技收購MueTec的案例可能再度發生。而隨着各類資源的不斷投入,我國半導體產業實現自主可控的進程也有望加快。

    時間:2020-12-09 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 5nm光刻技術突破ASML壟斷?中科院研發者回應,真相是這樣的!

    近日,中國科學院官網上發佈的一則研究進展顯示,該團隊研發的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,隨後這被外界解讀為,已經5nm ASML的壟斷,對此相關人士也是進行了迴應。 據《財經》報道稱,該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱,這是一個誤讀,這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。 按照劉前的説法,如果超高精度激光光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造,則有望提高我國掩模版的製造水平,對現有光刻機的芯片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術在知識產權上是完全自主的,成本可能比現在的還低,具有產業化的前景。 但是,即便這一技術實現商用化,要突破荷蘭ASML(阿斯麥)在光刻機上的壟斷,還有很多核心技術需要突破,例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。 據悉,高端掩模版在國內還是一項“卡脖子”技術。在半導體領域,除了英特爾、三星、台積電三家能自主製造外,高端掩模版主要被美國的Photronics、大日本印刷株式會社(DNP)以及日本凸版印刷株式會社(Toppan)三家公司壟斷,根據第三方市場研究機構前瞻產業研究院的數據,這三家公司的市場份額佔到全球的82%。 一直以來,業界都在嘗試另一條技術路線,例如華裔科學家、普林斯頓大學周鬱在1995年首先提出納米壓印技術,目前仍無法突破商用化的困境。目前的現狀是,沒有一個國家能夠獨立自主完成光刻機的製造,中國以一國之力,短期內要突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷,幾乎是不可能的事情。 來源:快科技 推薦閲讀: 高可靠性領域如何選取處理器系統和ADC/DAC? 醫療設備中,FPGA扮演什麼角色? 再添最強eASIC!Intel付得起xPU的鉅額尾款嗎?  21ic獨家“修煉寶典” | 電子必看公眾號 | 電子“設計錦囊” 添加管理員微信 你和大牛工程師之間到底差了啥? 加入技術交流羣,與高手面對面 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-07 關鍵詞: 光刻技術 集成電路

  • 長沙半導體裝備主題論壇暨湖南省第三屆集成電路產業發展高峯論壇、有源層優化生長技術創新中心年會成功舉行

    11月29日,在“創新引領,智造未來”為主題的2020長沙網絡安全•智能製造峯會上,由中國電科48所聯合湖南省/長沙市集成電路設計與應用產業技術創新戰略聯盟、有源層優化生長技術創新中心承辦的“國產裝備,智能製造”半導體裝備論壇、湖南省第三屆集成電路產業發展高峯論壇暨有源層優化生在技術創新中心年會在長沙國際會展中心舉行。 中國工程院院士陸軍,長沙市人民政府副市長邱繼興,湖南省省委軍民融合辦柳秀導副主任,湖南省工業和信息化廳彭濤黨組成員、副廳長出席會議。 本次高峯論壇是為貫徹十九屆五中全會精神、落實《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》文件要求,旨在深入貫徹落實習近平總書記考察湖南重要講話精神,打好關鍵核心技術攻堅戰,彰顯擔當作為。論壇活動圍繞自主可控、智能製造,全面展示了國產半導體核心裝備領域的新動態、新成果和新經驗。與會專家圍繞國產半導體裝備的關鍵技術、實踐成果進行討論,分享最新案例和成果,探討加快系統推進半導體裝備製造的新思維、新路徑,為湖南打造“三個高地”、三智一芯”建言獻策。論壇由48所所長龔傑洪主持。 作為此次論壇的承辦方,中國電科48所多年來始終致力於國防電子工業發展,在智能製造裝備、半導體裝備智能製造以及光伏新能源領域形成了一批具有自主知識產權的核心技術和高端產品。 前不久,湖南省工信廳批覆48所集成電路成套裝備國產化集成及驗證平台建設項目(楚微半導體國產化驗證中心)為湖南省製造業創新中心創建單位。面向未來,48所將緊抓“打造國家重要先進製造業、具有核心競爭力的科技創新、內陸地區改革開放的高地”的發展機遇,紮根湖南紅色熱土,緊密圍繞國家“新基建”發展戰略,做好頂層整體規劃,謀劃創新鏈,部署產業鏈,聚集各類創新人才,持續不斷創新,實現可持續健康發展,為我國半導體裝備的發展做出新的貢獻。

    時間:2020-12-01 關鍵詞: 半導體 集成電路

  • 深度:光刻技術的​歷史與現狀

    集成電路的飛速發展有賴於相關的製造工藝—光刻技術的發展,光刻技術是迄今所能達到的最高精度的加工技術。 集成電路產業是現代信息社會的基石。集成電路的發明使電子產品成本大幅度降低,尺寸奇蹟般減小。以計算機為例,1946年誕生的世界第一台數字計算機重30噸,佔地約140平方米。而集成電路將晶體管、電阻、電容等電子元件連接在小塊的硅片上,可使計算機體積更小,功耗更低,速度更快。自1958年世界上第一塊平面集成電路問世,在短短五十多年間,半導體及微電子技術突飛猛進的發展,帶動了現代信息技術的騰飛。集成電路的發展與其製造工藝─——光刻技術的進步密不可分。 光刻技術的發展史 光刻技術是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術。光刻的原理起源於印刷技術中的照相製版,是在一個平面上加工形成微圖形。光刻技術按曝光光源主要分為光學光刻和粒子束光刻(常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻等)。其中光學光刻是目前最主要的光刻技術,在今後幾年內其主流地位仍然不可動搖。 光刻技術的進步使得器件的特徵尺寸不斷減小,芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領下,光學光刻技術經歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進投影、步進掃描投影等曝光方式的變革。曝光光源的波長由436納米(G線),365納米(Ⅰ線),,發展到248納米(KrF),再到193納米( ArF)。技術節點從1978年的1.5微米、1微米、0.5微米、90納米、45納米,一直到目前的22納米。集成電路的發展始終隨着光學光刻技術的不斷創新向前推進。 光刻機(也稱光刻系統)是光刻技術的關鍵裝備,其構成主要包括光刻光源、均勻照明系統、投影物鏡系統、機械及控制系統(包括工件台、掩膜台、硅片傳輸系統等)。其中光刻光源是光刻機的核心部分。隨着集成電路器件尺寸的不斷縮小,芯片集成度和運算速度的不斷提高,對光刻技術曝光分辨率也提出更高的要求。光學分辨率是指能在晶圓上成像的最小特徵尺寸。對於光學投影光刻系統而言,其分辨率由瑞利公式決定:R= k1λ/NA,式中,k1為工藝因子,對於單次曝光k1為0.25,λ為光波長,NA為投影物鏡的光學數值孔徑。 由此可知,改進光學分辨率的方法有三條途徑:一是降低k1值;二是提高數值孔徑NA;三是降低波長。在這些途徑中,增大數值孔徑和縮短曝光波長是通過改變曝光設備實現的,而k1因子的降低則是通過工藝技術的改進去實現的,如投影曝光系統各階段採用的分辨率增強技術主要包括偏振光照明、相移掩模板、離軸照明等。 降低曝光光源的波長是光刻技術和設備的一個重要發展趨勢。半個世紀以來隨着光刻技術的發展,特徵尺寸隨之減小。在196O年代,半導體芯片製造商主要使用可見光作為光源。到了1980年代,光刻主要應用高壓放電汞燈產生的436納米(G線)和365納米(I線)作為光源。汞燈普遍應用於步進曝光機,從而實現0.35微米的特徵尺寸。放電汞燈輻射250納米紫外光的應用,首次實現了降低光刻光源波長的需求,但隨着集成電路技術節點向納米級發展,光刻機光源也很快從近紫外波段的汞燈光源發展到深紫外波段的準分子激光。應用的主要光源從KrF準分子激光器248納米激光,ArF準分子激光器193納米激光到F2準分子激光器157納米激光。當光源波長髮展到157納米,由於光刻膠和掩膜材料的侷限,圖形對比度低等因素,使得157納米光刻技術的發展受到很大限制。 但研究人員發現可以作為浸沒液的水對193納米光波幾乎完全透明,充人浸沒液後,193納米光源等效波長小於 157納米,同時投影透鏡數值孔徑也有很大的提高。另外193納米光刻機技術相對成熟,開發者需要重點解決的是浸沒技術相關的問題,因而採用浸沒技術的193納米光源取代157納米光源繼續成為研究的熱點。到了2003年,採用193納米波長的130納米工藝已 大規模量產,如當時的奔騰4芯片。 隨着雙重圖形曝光技術的發展,以英特爾(Intel)為代表的芯片製造商已經宣佈正式放棄157納米的光刻技術,從90納米工藝一直到未來的45納米工藝都依賴於193納米光刻技術。而隨着浸沒式光刻技術和分辨率增強技術的發展,光刻精度和性能不斷提高。2006年國際商業機器公司(IBM)的科學家宣佈,他們採用193納米干涉浸沒光刻裝置NEMO,製作出29.9納米的線條,打破了32納米這一光學光刻極限的預言。採用浸沒技術的ArF準分子激光,目前光刻節點已經達到22納米,未來有可能進一步達到16納米節點。通過不斷創新的光刻技術,摩爾定律仍然得到了保持。 由於可選的光刻曝光光源是有限的,且每更換一種曝光波長,光刻機掩模圖樣和光刻膠的材料,投影物鏡等系統的結構和材料都需更新,因而開發一個新波長的光刻機需要高昂的人力和物力成本,需要多個國家和公司的通力合作方能成功。相對於157納米光刻技術,193納米浸沒式光刻技術不需要研發新的掩模、透鏡和光刻膠材料,193納米漫沒式光刻機甚至可以保留現有193納米乾式光刻機的大部分組件,僅需改進設計部分分系統即可。世界上三大光刻機生產商阿斯麥(ASML)、尼康(Nikon)和佳能(Canon)公司的第一代193納米浸沒式樣機都是在原有193納米乾式光刻機的基礎上改進研製而成的,大大降低了研發成本和風險。 用於光刻的193納米準分子激光光源 高端光刻機具有高數值孔徑、高吞吐量、高臨界尺寸控制性能和低運行成本等特點,這些特點要求光刻光源具有相應的激光性能。優質光刻光源要求窄激光譜寬、高波長和能量穩定性、高平均功率和激光重頻。目前193納米的ArF準分子激光采用浸沒技術,可以達到22納米的光刻節點,並向16納米節點延伸。成為高端光刻機的主流光源。 準分子激光器是紫外波段最強大的激光光源,是一種輻射幾十納秒脈寬的紫外放電氣體激光器。準分子是激發態結合而基態離解的受激二聚體,其特點是基態不穩定,一般在振動弛豫時間內便分解為自由的粒子,而其激發態以結合的形式出現並相對穩定,以輻射的形式衰減,因而準分子激光具有高增益的特點。 準分子激光已經在國外有比較成熟的商用產品,美國的西盟(Cymer)和相干(Coherent)公司,日本的Gigaphoton公司是光刻用準分子激光的主要供應商,目前預電離放電泵浦準分子激光可以實現高重頻、高功率、窄線寬的激光輸出。基於 ArF準分子激光器,ASML、Nikon、Canon USA等公司已經開發出商用的光刻系統。自1972年美國勞倫斯·利弗莫爾(LawrenceLivermore)國家實驗室發現波長為170納米的Xe2準分子激光以來,已經相繼獲得17種準分子激光振盪,其光譜覆蓋126~675納米之間的多個波長。 單個準分子激光腔作為光刻光源難以實現窄譜線和高穩定、高能量脈衝的輸出。一方面要求同一台激光器同時工作在窄線寬和高輸出能量的極限條件下,另一方面高脈衝能量下紫外光學元件的退化會造成窄線寬工作的壽命下降。經研究發現雙腔結構是一個很好的解決方案。其中一個放電腔產生 窄線寬但低能量的種子脈衝光源,另一個放電腔實現對種子光源的功率放大。典型的雙腔結構有主振盪功率放大腔(master oscillator power amplifier,MOPA)與種子光注入鎖定系統(injection locking system,ILS)。MoPA結構中,線寬壓窄光學元件工作在較低的重複頻率,因降低了光致熱效應而延長光學元件的壽命。其次,主振盪器內僅要求產生較低能量的脈衝,更易於獲得極窄線寬光譜,並有助於延長元件壽命。以 Cymer 公司的xLA、xLR系列為代表,種子光注入鎖定系統的特點是種子光在放大腔往返多次放大,其主要優點是性能穩定和運行成本低。以ILS技術為代表的有Gigaphoton公司於2004年開始進入市場的GT40A系列ArF浸沒光刻機。 譜線寬度技術 由放電腔發出的原始光譜寬度達幾百皮米,這樣寬的光譜帶寬無法滿足光刻等應用的要求。以目前主流的光刻光源ArF準分子激光器為例,需要把自由振盪的500皮米左右的寬帶光譜壓窄至亞皮米量級。光譜帶寬是影響成像能力和特徵尺寸的重要因素。由於光學材料在深紫外波長區的限制,ArF光刻系統的投影稜鏡將不可避免地產生色差現象。亞皮米的光譜線展寬所產生的影響也不可忽略,然而,可以通過壓窄光源光譜線寬來減小色差效應。為了實現90納米技術節點的集成電路光刻,必須使激光脈衝的線寬達到亞皮米的量級。其次,採用浸沒式光刻增加數值孔徑的同時,需要更窄的譜寬相匹配。第三,窄線寬可降低光源對臨界尺寸的靈敏度,從而改善由於光源不穩定造成的光刻圖樣的不均勻。第四,較低的k,要求較窄的光譜線寬相匹配。因此,為了減小光刻的特徵尺寸,提高拉曼散射效率和熒光光譜分析精度,有必要對較寬的自然光譜進行線寬壓窄。 光刻光源一般採用多稜鏡擴束器和大尺寸光柵組合的線寬壓窄方案閃。稜鏡擴束器用於分離波長並保持較小的發散角,通常使用2~4塊稜鏡可以實現20~40倍的光學擴束。稜鏡材料為紫外波段高透過率的融石英或氟化鈣,在稜鏡的激光人射和出射面通常都鍍有增透膜層。擴束後的光斑投射到大尺寸光柵上,稜鏡組與光柵的光路組成利特羅(Littrow)結構。綜合考慮稜鏡的擴束率、透過率和稜鏡增透的要求,稜鏡的人射角通常設在68~71度之間。大尺寸光柵通常為中階梯光柵,其較大的閃耀角有利於光譜的高階色散和線寬壓縮。擴束後的光束也可以先入射到高反平面鏡再反射到光柵上,轉動高反鏡可改變入射到光柵的角度,從而實現激光中心波長的調諧和穩定控制。 為避免大氣中氧原子對紫外激光強烈吸收造成的能量損耗,同時隔絕外界對光學元件的污染,通常把稜鏡擴束器、反射鏡和大尺寸光柵等光學元件裝配在一個封閉的腔體內。在光刻光源中這樣的腔體被稱為線寬壓窄模塊。在光刻機工作時,線寬壓窄模塊內一般通有特定流量的高純氮氣或氦氣。 激光的光譜寬度除了用峯值的半高全寬(FwHM)表示,同時要可以顯示光譜能量95%的積分寬度(E95)。E95指標的大小及穩定性是光刻機的重要參數之一,它影響曝光系統成像能力和臨界尺寸(cD)控制。Cymer和Gigaphoton最新機型的E95都小於O.35皮米。 光譜穩定技術 高重頻脈衝的波長抖動和短時間內波長的漂移都會引起光譜的增寬。為減少光譜變化引起的曝光像差,光刻光源的波長測量必須要實現較高的精度(相對波長)和準確度(絕對波長)。相對波長的測量可以通過一個或多個標準具來實現。這是因為激光通過標準具形成的干涉環條紋的寬度、間距與激光的波長和線寬相關。另一方面,絕對波長的確定(波長校準)則可以將測得的相對波長與原子吸收線進行比較來實現。穩定的光譜帶寬對低節點光刻應用尤為重要。由於投影鏡頭的色差,光譜帶寬的變化將導致散焦誤差,引起對比度損失和產生光學鄰近誤差。此外,激光腔工作氣體中氟氣的濃度也會影響激光的光譜寬度。在主振盪-放大結構中光譜寬度會隨兩腔體放電間隔時間呈近線性變化。利用這一特性,可以通過在線檢測激光光譜參數,採用閉環控制系統動態調節放電間隔時間,從而實現對光譜進行短期的穩定控制。線寬壓窄模塊中,同樣利用實時檢測窄線寬激光的光譜,並動態微調光柵的衍射角,以控制中心波長和線寬的穩定性。光束均勻性技術光刻機照明系統的作用是為整個掩模面提供高均勻性照明,通過控制曝光劑量和實現離軸照明模式以提高光刻系統分辨率,增大焦深。高分辨率投影光刻的照明系統對輸出光的波長、均勻性、光強等都有很高的要求,其中照明的均勻性要求為1.5%~1%。照明系統的質量直接影響到投影光刻的質量,高均勻照明技術是照明系統的主要關鍵技術。在對照明均勻性要求不是很高的系統中,可以通過增加補償器來改善光照均勻度,補償器原理是通過控制通光表面各處的透過率來提高光能分佈的均勻性。為了更進一步提高輸出光能分佈的均勻性,照明系統中通常都採用了光學均勻器(或稱光學積分器)。通常採用複眼透鏡或棒狀導光棒作為光學均勻器。提高均勻性的原理為將光束分割成許多細小的光束,使得每一子光束的均勻性比原有光柬的均勻性都有所提高,然後將所有的子光束在空間疊加,使各子光束的光能分佈進一步得到補償,從而較大地提高光能分佈的均勻性。 在設計照明系統的光路時,首先應進行擴束的準直系統設計。由於準分子激光的光束截面呈矩形,需要將準分子激光原始的矩形光斑改變成正方形分佈,需要一組柱面擴束鏡進行擴束,然後由一組球面擴束鏡擴束為大小較為合適的正方形的光斑,再利用徵透鏡陣列器獲得好的照明均勻性M。這是因為微透鏡陣列分割了能量分佈不均勻的激光束,利用數學的積分原理可知,許多細光束疊加就得到了能量分佈較為均勻的照明。最後微透鏡陣列組要與聚光鏡組配合才會得到較好的照明均勻性,通常採用柯勒照明(Kohler illumination)方式,微透鏡陣列組的前透鏡陣列被它後面的光學系統在掩模上成像時,其後透鏡陣列應該被聚光鏡組在投影物鏡的入瞳處成像,這樣既保證了像面均勻性,又保證了與投影物鏡之間的匹配。同時為了使投影系統的入瞳與照明系統的出瞳相匹配,照明系統的出瞳要在無窮遠處,此時掩模應位於聚光鏡組的後焦面處。微透鏡陣列後組應位於聚光鏡組的前焦面處,只有這樣才可以保證微透鏡陣列前組被它後面的光學系統成像在掩模上。另外,對於聚光鏡組,因為視場與孔徑角都相對較小,所以只用兩片球面透鏡像差就可以得到較好的校正。 對曝光系統光束能量利用率的問題和通過投影系統後激光光束整體均勻性要求,都需要一些定量的評價指標兇,如準分子激光光束均勻性評價指標主要有加工窗口、能量分數、平頂因子等。 液體浸沒技術 根據瑞利公式,增大數值孔徑(numericalaperture,NA)是一個提高光刻精度的有效技術途徑s。漫沒式光刻技術的原理是在光刻機投影物鏡和晶圓上的光刻膠之間充滿高折射率的液體,從而使數值孔徑大於1。 對於193納米光刻而言,傳統的乾式光刻機在投影物鏡和晶圓之間是空氣,其有效數值孔徑最大僅為0.93。而水在193納米處的折射率為1.44,並且具有較高的透過率。在曝光過程中,由於水中溶解的物質有可能沉積到投影物鏡最後一個透鏡的下表面或者光刻膠上,引起成像缺陷,而水中溶解的氣體也有可能形成氣泡,使光線發生散射和折射。因此,目前業界普遍使用價格便宜、簡單易得的去離子和去氣體的純水作為第一代浸沒式光刻機的浸沒液體。採用水作浸沒液體,可實現1.35數值孔徑,光刻節點達到了32納米。為了將浸 沒式光刻技術延伸到32納米甚至22納米節點,應用折射率更高的液體取代水作為浸沒液體。許多公司正致力於第二代浸沒液體的研究,已經找到多種折射率在1.65 左有的液體。在引人第二代浸沒液體後,尋找高折射率 (>1.65)的投影物鏡底部透鏡材料將成為進一步提高數值孔徑的關鍵。 浸沒式光刻技術已經展現出巨大的優勢和發展潛力,浸沒帶來的一系列難題也找到了相應的對策。如液體温度的控制,壓力的測量和控制,氣泡的消除,光刻膠 被液體浸沒產生的污染,光學系統的重新優化。浸沒式光刻機將繼續朝着更大數值孔徑的方向發展。今後各公司將使用各種第二代浸沒液體和高折射率底部透鏡材料搭建實驗平台進行曝光測試,分析曝光缺陷、線寬均勻性、液體的循環以及液體對成像質量的影響,找到最佳的材料,在此基礎上設計更高數值孔徑的浸沒式光刻機,以應對更小光刻線寬的挑戰。 新一代極紫外光刻光源 目前半導體公司已經進軍10納米工藝,但面臨的物理限制越來越高,半導體工藝提升需要全新的設備。極紫外(EUv)光刻機是特徵尺寸突破10納米及之後的7納米、5納米.工藝的關鍵,而波長13.5納米的極紫外光極可能成為下一代光刻光源。激光等離子體極紫外(LPP-EUv)光源由於具有較好的功率擴展能力,目前被認為是最有希望的高功率EUV光刻光源。 由於波長為10~14納米的極紫外光在材料中被強烈吸收,其光學系統必須採用反射形式。LPP-EUv通常是採用高功率的coz激光束照射到液滴靶材(一般為 金屬Sn)上,產生等離子體並輻射出紫外線。再用反射式聚光系統收集EUV輻射並投射到母版上,母版反射的EUv輻射使掩模圖形再經過一個反射的成像系統,縮小投影成像到塗有抗蝕劑的硅片上。限制EU v光源功率提升的個重要難題是去除聚光鏡上靶材殘留物,這些殘留中的Sn會導致鏡面的反射率降低。除了光源外,EUv的技術難題還包括掩膜、精密光學系統及元件的製造等。 在2016年國際光學工程學會(SPIE)的先進光刻技術研討會上,與會者認為:雖然目前EUv技術已經取得了巨大進展,但仍不適合半導體大批量生產製造。荷蘭ASML公司和日本的Gigaphoton公司在EUv光源領域佔據領先地位,均已具有250瓦 EUv光源的研發 能力。其中ASML公司開發了NXE:33xOB商業光刻光源,20i6年功率達到250瓦,每小時可量產125片 晶圓。而Gigaphoton公司在2016年7月展示了功率250瓦、效率4%的LPP-EUv原型樣機]。但EUv作為新--代半導體工藝突破的關鍵,進展還是低於預期。現在三星、台灣積體電路製造公司(台積電)和英特爾的説法基本統一,預計2020年左右可實現5~7納米節點。EUv光刻機每台價值1.1億美元,價格昂貴但仍然受到芯片製造遞四方香港的青睞。三星和台積電公司積極採購EUV光刻機,以謀求在7~10納米節點採用EUV工藝來提高密度並降低成本。 光刻技術是促進集成電路及相關產業發展的關鍵技術。10年前一根512兆字節的內存條價格為幾百元,目前同樣價格買到的內存條可存儲16~32吉字節。今天一箇中檔手機的計算性能,超過了10年前的個人微機,並以摩爾定律預計的速度在增長。光刻技術的發展大大提高了芯片的計算速度和存儲量,也在改變着人們的生活。 參考文獻: [1] 馬建軍.光學光刻技術的歷史演變.電子工業專用設備,2008,37 (4):28-32. [2] 張海波,樓祺洪,周軍,等.ArF準分子激光器線寬壓縮技術.激光與光電子學進展,20O9,46(12):46-51. [3] 餘吟山,遊利兵,梁勖,等.準分子激光技術發展.中國激光,2010,37(9): 2253-2270. [4] 李紅霞,樓祺洪,葉震寰,等.準分子激光光束均勻性的評價指標研究.強激光與粒子束,20O4,16(6): 729-732. [5] 袁瓊雁,王向朝,施偉傑,等.浸沒式光刻技術的研究進展.激光與光電子學進展,20O6,43(8): 13-20. [6] Saito T, Ueno Y,Yabu T, et al. LPP-EUv light source for HVM lithog-raphy. Proc. SPIE10254,XXI International Symposium on High Power Laser Systems and Applications 2016,2017. [7] Mizoguchi H,Nakarai H, Abe T,et al. Deveiopment of 25Ow EUvlight source for HVM lithography.China Semiconductor Technology International Conference,y20i7:l-4. 關鍵詞: 激光光刻 大規模集成電路 短波長激光器 -END- 來源 | 光刻人的世界 | 整理文章為傳播相關技術,版權歸原作者所有 | | 如有侵權,請聯繫刪除 | 【遞四方香港】飛機上一般是什麼操作系統? 【遞四方香港】高速CAN、容錯CAN、LIN總線有什麼區別? 【遞四方香港】鴻蒙和安卓,到底有什麼區別? 【遞四方香港】大佬終於把鴻蒙OS講明白了,收藏了! 【遞四方香港】必看!影響嵌入式薪資的各種原因! 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權後發佈,版權歸原作者所有,本平台僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平台立場,如有問題,請聯繫我們,謝謝!

    時間:2020-12-01 關鍵詞: 光刻技術 集成電路

  • 集成電路有哪些封裝形式?怎麼看集成電路圖?

    集成電路有哪些封裝形式?怎麼看集成電路圖?

    集成在電子專業是不可不談的話題,對於集成電路,電子專業的朋友比普通人具有更多理解。為增進大家對集成電路,本文將對集成電路的封裝形式、集成電路符號以及集成電路電路圖的看圖方法予以介紹。如果你對集成、集成電路具有興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 一、集成電路封裝形式 1、SOP小外形封裝 SOP,也可以叫做SOL和DFP,是一種很常見的元器件形式。同時也是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。封裝材料分塑料和陶瓷兩種。始於70年代末期。 SOP封裝的應用範圍很廣,除了用於存儲器LSI外,還輸入輸出端子不超過10-40的領域裏,SOP都是普及最廣泛的表面貼裝封裝。後來,為了適應生產的需要,也逐漸派生出SOJ、SSOP、TSSOP、SOIC等一些小外形封裝。 2、PGA插針網格陣列封裝 PGA芯片封裝形式常見於微處理器的封裝,一般是將集成電路(IC)包裝在瓷片內,瓷片的底部是排列成方形的插針,這些插針就可以插入獲焊接到電路板上對應的插座中,非常適合於需要頻繁插波的應用場合。對於同樣管腳的芯片,PGA封裝通常要比過去常見的雙列直插封裝需用面積更小。 PGA封裝具有插撥操作更方便,可靠性高及可適應更高的頻率的特點,早期的奔騰芯片、InTel系列CPU中的80486和PenTIum、PenTIumPro均採用這種封裝形式。 3、BGA球柵陣列封裝 BGA封裝是從插PGA插針網格陣列改良而來,是一種將某個表面以格狀排列的方式覆滿引腳的封裝法,在運作時即可將電子訊號從集成電路上傳導至其所在的印刷電路板。在BGA封裝下,在封裝底部處引腳是由錫球所取代,這些錫球可以手動或透過自動化機器配置,並透過助焊劑將它們定位。 BGA封裝能提供比其他如雙列直插封裝或四側引腳扁平封裝所容納更多的接腳,整個裝置的地步表面可作為接腳使用,比起周圍限定的封裝類型還能具有更短的平均導線長度,以具備更加的高速效能。 4、DIP雙列直插式封裝 所謂DIP雙列直插式封裝,是指採用雙列直插形式封裝的集成電路芯片,絕大多數中小規模集成電路IC均採用這種封裝形式,其引腳數一般不超過100個。採用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳,需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心,以免損壞引腳。 二、集成電路電路符號和應用電路識圖方法 1.集成電路電路符號解説 集成電路的電路符號比較複雜,變化比較多,如圖9-2所示是集成電路的幾種電路符號。 集成電路的電路符號所表達的具體含義很少(這一點不同於其他電子元器件的電路符號),通常只能表達這種集成電路有幾根引腳,至於各個引腳的作用、集成電路的功能是什麼等,電路符號中均不能表示出來。 如下圖所示是實用電路中的集成電路的電路符號,電路中A1是集成電路,從電路符號中可以知道它有5根引腳。 2.集成電路應用電路圖功能解説 集成電路應用電路圖具有下列一些功能: (1)表達了集成電路各引腳外電路結構、元器件參數等,從而表示了某一集成電路的完整工作情況。在有些集成電路應用電路中,畫出了集成電路的內電路方框圖,這對分析集成電路應用電路是相當方便的,但這種表示方式不多。 (2)集成電路應用電路有典型應用電路和實用電路兩種,前者在集成電路手冊中可以查到,後者出現在實用電路中,這兩種電路相差不大,根據這一特點,在沒有實際應用電路時可以用典型應用電路圖作為參考,這一方法在修理中常常採用。 (3)一般情況集成電路應用電路表達了一個完整的單元電路或一個電路系統,但有些情況下一個完整的電路系統要用到兩個或更多的集成電路。 3.集成電路應用電路特點解説 集成電路應用電路圖具有下列一些特點: (1)大部分應用電路不畫出內電路方框圖,這刑識圖不利,尤其對初學者。對初學者而言,分析集成電路的應用電路比分析分立元器件的電路更為困難,這是對集成電路的內部電路不瞭解的原緣。實際上識圖也好、修理也好,集成電路比分立元器件電路更為方便。 (2)對集成電路應用電路而言,大致瞭解集成電路的內部電路並詳細瞭解各引腳的作用,對識圖來説會比較方便。同類型的集成電路應用電路具有規律性,在掌握了它們的共性後,可以很容易地分析許多同功能型號不同的集成電路應用電路。 4.集成電路應用電路識圖方法和注意事項解説 分析集成電路應用電路的方法和注意事項主要有下列幾點: (1)瞭解各引腳的作用是識圖的關鍵。瞭解各引腳的作用可以查閲有關集成電路應用手冊。知道了各引腳作用之後,分析各引腳外電路工作原理和元器件作用就很容易。例如,知道①腳是輸入引腳,那麼與①腳所串聯的電容是輸入端耦合電路,與①腳相連的電路是輸入電路。 (2)瞭解集成電路各引腳作用的三種方法。一是查閲有關資料;二是根據集成電路的內電路方框圖分析;三是根據集成電路應用電路中各引腳外電路的特徵進行分析。對第三種方法要求有比較好的電路分析基礎。 (3)電路分析步騾。如表9-6所示是集成電路應用電路分析步驟解説。 以上便是此次小編帶來的“集成”相關內容,通過本文,希望大家對集成電路的封裝形式、集成電路電路圖的看法具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2020-11-30 關鍵詞: 集成 指數 集成電路

  • 集成電路有什麼特點?集成電路需要哪些原材料?

    集成電路有什麼特點?集成電路需要哪些原材料?

    集成電路是這個時代的重要發展產物之一,電子專業的朋友對於集成電路更是十分熟悉。為增加大家對集成電路的認識,本文將對集成電路、集成電路的特點、集成電路的分類以及集成電路的原材料進行一一介紹。如果你對集成、集成電路具有興趣,不妨和小編共同往下閲讀哦。 一、什麼是集成電路 集成電路是相對於分立元件而言的,把設計好的電子電路整個製作在一片硅材料上就是集成電路,一個芯片集成了成千上萬的三極管,使得電子產品微型化,同時功耗降低,可靠性提高,成本降低,功能強大。 集成電路大體上分為數字集成電路、模擬集成電路、混合集成電路,銷售對象主要是電子整機廠,行業前景沒得説,日新月異,永無止境。只是你是外行,要入行必須惡補相關知識,還要積累經驗,很不容易,建議你選擇自己熟悉的行業。 二、集成電路的特點 (1)體積小、質量輕、功能全。 (2)可靠性高、壽命長、安裝方便。 (3)頻率特性好、速度快。 (4)專用性強。 (5)集成電路需要外接一些輔助元件才能正常工作。 三、集成電路的分類 (一)按功能結構分類 集成電路按其功能、結構的不同,可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。模擬集成電路用來產生、放大和處理各種模擬信號(指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號(指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號)。 (二)按製作工藝分類 集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。 (三)按集成度高低分類 集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路和超大規模集成電路。 (四)按導電類型不同分類 集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。雙極型集成電路的製作工藝複雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單,功耗也較低,易於製成大規模集成電路,代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。 (五)按用途分類 集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦(微機)用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。 四、集成電路的原材料 1、硅,這是目前最主要的集成電路材料,絕大部分的IC是採用這種材料製成; 2、鍺硅,目前最流行的化合物材料之一,GHz的混合信號電路很多采用這種材料; 3、GaAs,最廣泛採用的二代半導體,主要用於射頻領域,包括射頻控制器件和射頻功率器件; 4、SiC,InP,所謂的三代半導體,前者在射頻功率領域,後者在超高速數字領域,都屬於下一代半導體材料。 以上便是此次小編帶來的“集成”相關內容,通過本文,希望大家對集成電路、集成電路特點、集成電路分類和集成電路原材料具備一定的瞭解。如果你喜歡本文,不妨持續關注我們網站哦,小編將於後期帶來更多精彩內容。最後,十分感謝大家的閲讀,have a nice day!

    時間:2020-11-30 關鍵詞: 集成 指數 集成電路

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